イオン結晶表面の英語

このようにして最もエネルギーが低い表面を特定することにより、イオン性結晶の結晶成長方向が予測できる。例文帳に追加

By thus specifying the surface with the lowest energy, the direction of the crystal growth of the ionic crystal can be predicted. - 特許庁

そして、このような斜めイオン注入によれば、基板表面にイオン注入のダメージによる結晶欠陥を抑制できる。例文帳に追加

This skew ion implantation can suppress a crystal defect caused by damage by ion implantation on the surface of the substrate. - 特許庁

表面が銅イオンによって修飾されており、かつブルッカイト型結晶を含む銅イオン修飾酸化チタンである。例文帳に追加

The copper ion-modified titanium oxide has a surface modified with copper ions and includes a brookite-type crystal. - 特許庁

単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板例文帳に追加

METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶に非金属元素のフッ素（Ｆ）イオンを注入する際に、酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶へのＦイオンの注入エネルギーを制御してＦイオンの単位面積あたりの注入量及び注入深さを調整した後に、Ｆイオン注入後の酸化チタン結晶を焼鈍処理することによりＦイオンを結晶表面へ優先的に拡散させた光触媒材料。例文帳に追加

This photocatalytic material is constituted so that F ion is diffused to the surface of the TiO2 crystal preferentially by implanting the ion of F being a nonmetallic element into the TiO2 crystal while the amount of F ion to be implanted per unit area and the depth of F ion to be implanted are adjusted by controlling the implantation energy of F ion to the TiO2 crystal and then annealing the F ion-implanted TiO2 crystal. - 特許庁

一対の充分広い表面、並びに充分な厚さを備えるイオン性結晶について、その表面に現れるイオンには補正した電荷を、当該結晶の内部に位置するイオンには形式電荷をそれぞれ適用し、且つエワルド法を用いて当該一対の表面を有するイオン性結晶が備える構造のエネルギーを評価すればよい。例文帳に追加

The problem can be solved by assigning in an ionic crystal possessing a pair of sufficiently broad surfaces and a sufficient thickness a corrected charge and a formal charge to each ion appearing on the surfaces and each ion situated inside the crystal, respectively and by evaluating the energy of a structure of the ionic crystal having the pair of the surfaces by using the Ewald method. - 特許庁

基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。例文帳に追加

An ion implantation layer 2 having impurity atoms which have peaks of impurity atom concentrations at a depth of 5-10 nm from the surface of a substrate 1 is formed, and the ion implantation layer 2 is recrystallized by recrystallization annealing. - 特許庁

イオン性結晶の表面エネルギーの大小を簡便に比較する方法、および、イオン性結晶の成長方向の評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for simply comparing the magnitudes of the surface energy of an ionic crystal and to provide a method for evaluating the growth direction of an ionic crystal. - 特許庁