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イオン結合結晶の英語
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英訳・英語 ionic bond crystal
「イオン結合結晶」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
リチウムイオンを包接したクラウンエーテルとジチオレート金属錯体とがイオン結合することにより形成されたことを特徴とするイオン伝導性結晶。例文帳に追加
The ion conductive crystal is characterized by being formed by ionic bonding with a crown ether including lithium ion and a dithiolate metal complex. - 特許庁
このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。例文帳に追加
By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10. - 特許庁
ホモ四量体であって、１分子当たり20以上のイオン結合がサブユニット間に形成されている耐熱性アスパルターゼの結晶。例文帳に追加
The crystal of thermostable aspartase is a homotetramer and has ≥20 ion bonds formed per molecule between subunits. - 特許庁
そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成された第二基板１を第一基板７に結合した後、第二基板１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。例文帳に追加
After the second substrate 1 with two ion implantation layers 4 and 6 formed together is joined with a first substrate 7, a joint silicon single crystal thin film 5 is peeled off from the second substrate 1 by using the ion implantation layer 4 for peeling. - 特許庁
そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成されたボンドウェーハ１をベースウェーハ７に結合した後、ボンドウェーハ１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。例文帳に追加
Then, after the bonded wafer 1, in which the two ion-implanted layers 4 and 6 are formed, is coupled with a base wafer 7, a thin bonded single-crystal silicon film 5 is peeled from the bonded wafer 1 by peeling the peelable ion-implanted layer 4. - 特許庁
基材上に形成された、ｓｐ２結合性結晶を少なくとも一部含む水素イオン伝導体であって、該ｓｐ２結合性結晶の粒界部および内部に水素イオンと親和性の高い官能基が導入されており、基材面とｓｐ２結合面とがなす角度は６０°〜１２０°であることを特徴とする水素イオン伝導体を提供すること。例文帳に追加
The hydrogen ion conductor is formed on the base board and partially contains an sp2 bonding crystal and a functional group having high affinity to hydrogen ion is introduced in the grain boundary part and the inside part of the sp2 bonding crystal and an angle between the base board face and the sp2 bond face is 60-120°. - 特許庁
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「イオン結合結晶」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
結晶基板１５の電解液との接触面において該ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、結晶基板表面に少なくとも１つの凹凸構造を形成する。例文帳に追加
The holes and ions contained in the electrolytic solution are combined on the contacting surface of the crystal substrate 15 with the electrolytic solution 12 to etch the surface of the substrate 15, so that an irregular structure is formed on the surface of the crystal substrate 15. - 特許庁
Si(100)基板１０上に形成した多結晶ダイアモンド層１１に、水素イオンを打ち込んだ電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶基板１２を直接接合し、熱処理により分離して、薄いLiNbO_3単結晶層１３を形成する。例文帳に追加
A LiNbO_3 single crystal substrate 12 with a greater electromechanical coupling coefficient to which hydrogen ions are impregnated is directly joined with a polycrystal diamond layer 11 formed on an Si (100) substrate 10 and a thin LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 is formed by separating the substrate by heat treatment. - 特許庁
結晶基板１５の他面側に光照射してホールと電子の対を発生し、ホールが結晶基板１５の一面側に移動し、ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、多数の貫通孔を結晶基板１５に形成する。例文帳に追加
Light is applied to the other surface side of the crystal substrate 15 to generate a hole/electron pair, the hole moves to one surface side of the crystal substrate 15, etching due to the combination of the hole and ions in the electrolyte is allowed to proceed, and a number of through holes are formed on the crystal substrate 15. - 特許庁
結果として，ウェハ処理工程１００では，イオン注入工程１２０で導入されたＳｉ＋イオンが，イオン注入工程１１０で生じる空格子欠陥と結合し，空格子欠陥に起因する結晶欠陥の発生が抑制される。例文帳に追加
As a result, in the wafer treatment processing 100, the Si+ ions introduced at the ion implantation processing 120 are bonded to a vacant lattice defects, produced in the ion implantation process 110, thereby crystal defect generation caused by the vacant lattice defect is prevented. - 特許庁
得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。例文帳に追加
A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained. - 特許庁
フッ化カルシウムなどのフッ化物結晶を有するイオン結合材料を研磨するのに使用される研磨スラリー用溶媒であって、前記イオン結合材料の表面に吸着層を形成可能な水溶性高分子添加剤が２種以上含まれていることを特徴とする研磨スラリー用溶媒とした。例文帳に追加
The solvent for the polishing slurry used for grinding an ionic bond material which has a fluoride crystal of calcium fluoride or the like, is characterized by including two or more water-soluble polymer additives which can form an adsorption layer on a surface of the ionic bond material. - 特許庁
イオン結合を除く配位結合による有機結合であって結晶水を含有する有機化合物から成るサンドブラスト用研磨剤組成物およびこの研磨材組成物によるサンドブラスト後、研磨材及び研鞘屑を空気噴射及び／又は水洗浄により除去するサンドブラスト方法。例文帳に追加
A sandblasting abrasive composition comprises an organic compound composed of organic bonds by coordinate bonding excluding ionic bonding and having a water of crystallinity, and a sandblasting method comprises sandblasting an object with the sandblasting abrasive composition and then, removing the abrasive and ground scrap by air-jetting and/or washing with water. - 特許庁
２，３−ピラジンジカルボン酸と、トランス１，２−ビス（４−ピリジル）エチレンと、水分子とが、５配位金属イオンに配位結合して成る高分子錯体化合物であって、該錯体化合物によって形成される１次元カラム内に結晶水を含み、該結晶水の水分子と、前記配位結合している水分子とが水素結合しているプロトン伝導性配位高分子錯体化合物。例文帳に追加
The proton-conducting coordination polymer complex compound contains water of crystallization in a one-dimensional column formed by a polymer complex compound in which a 2,3-pyrazinedicarboxylic acid, trans-1,2-bis(4-pyridyl)ethylene and a water molecule coordinate-bond to a pentacoordination metal ion, wherein a water molecule of the water of crystallization and the coordinate-bonding water molecule form a hydrogen bond. - 特許庁
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