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イオン結合結晶の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 34



例文

イオン結合でできた結晶例文帳に追加

a crystal formed through the combination of ions  - EDR日英対訳辞書

リチウムイオンを包接したクラウンエーテルとジチオレート金属錯体とがイオン結合することにより形成されたことを特徴とするイオン伝導性結晶例文帳に追加

The ion conductive crystal is characterized by being formed by ionic bonding with a crown ether including lithium ion and a dithiolate metal complex. - 特許庁

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層11内でのSi−Si結合を切り、単結晶Si基板10の表面近傍の所定の深さ(平均イオン注入深さL)に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。例文帳に追加

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10. - 特許庁

ホモ四量体であって、1分子当たり20以上のイオン結合がサブユニット間に形成されている耐熱性アスパルターゼの結晶例文帳に追加

The crystal of thermostable aspartase is a homotetramer and has ≥20 ion bonds formed per molecule between subunits. - 特許庁

例文

そして、それら2つのイオン注入層4,6が形成された第二基板1を第一基板7に結合した後、第二基板1から結合シリコン単結晶薄膜5を剥離用イオン注入層4にて剥離する。例文帳に追加

After the second substrate 1 with two ion implantation layers 4 and 6 formed together is joined with a first substrate 7, a joint silicon single crystal thin film 5 is peeled off from the second substrate 1 by using the ion implantation layer 4 for peeling. - 特許庁


例文

そして、それら2つのイオン注入層4,6が形成されたボンドウェーハ1をベースウェーハ7に結合した後、ボンドウェーハ1から結合シリコン単結晶薄膜5を剥離用イオン注入層4にて剥離する。例文帳に追加

Then, after the bonded wafer 1, in which the two ion-implanted layers 4 and 6 are formed, is coupled with a base wafer 7, a thin bonded single-crystal silicon film 5 is peeled from the bonded wafer 1 by peeling the peelable ion-implanted layer 4. - 特許庁

基材上に形成された、sp2結合結晶を少なくとも一部含む水素イオン伝導体であって、該sp2結合結晶の粒界部および内部に水素イオンと親和性の高い官能基が導入されており、基材面とsp2結合面とがなす角度は60°〜120°であることを特徴とする水素イオン伝導体を提供すること。例文帳に追加

The hydrogen ion conductor is formed on the base board and partially contains an sp2 bonding crystal and a functional group having high affinity to hydrogen ion is introduced in the grain boundary part and the inside part of the sp2 bonding crystal and an angle between the base board face and the sp2 bond face is 60-120°. - 特許庁

結晶基板15の電解液との接触面において該ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、結晶基板表面に少なくとも1つの凹凸構造を形成する。例文帳に追加

The holes and ions contained in the electrolytic solution are combined on the contacting surface of the crystal substrate 15 with the electrolytic solution 12 to etch the surface of the substrate 15, so that an irregular structure is formed on the surface of the crystal substrate 15. - 特許庁

Si(100)基板10上に形成した多結晶ダイアモンド層11に、水素イオンを打ち込んだ電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶基板12を直接接合し、熱処理により分離して、薄いLiNbO_3単結晶層13を形成する。例文帳に追加

A LiNbO_3 single crystal substrate 12 with a greater electromechanical coupling coefficient to which hydrogen ions are impregnated is directly joined with a polycrystal diamond layer 11 formed on an Si (100) substrate 10 and a thin LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 is formed by separating the substrate by heat treatment. - 特許庁

例文

結晶基板15の他面側に光照射してホールと電子の対を発生し、ホールが結晶基板15の一面側に移動し、ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、多数の貫通孔を結晶基板15に形成する。例文帳に追加

Light is applied to the other surface side of the crystal substrate 15 to generate a hole/electron pair, the hole moves to one surface side of the crystal substrate 15, etching due to the combination of the hole and ions in the electrolyte is allowed to proceed, and a number of through holes are formed on the crystal substrate 15. - 特許庁

例文

結果として,ウェハ処理工程100では,イオン注入工程120で導入されたSi+イオンが,イオン注入工程110で生じる空格子欠陥と結合し,空格子欠陥に起因する結晶欠陥の発生が抑制される。例文帳に追加

As a result, in the wafer treatment processing 100, the Si+ ions introduced at the ion implantation processing 120 are bonded to a vacant lattice defects, produced in the ion implantation process 110, thereby crystal defect generation caused by the vacant lattice defect is prevented. - 特許庁

得るべきSOI層5の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜15の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層4の第一主表面Jからの形成深さd1+txを、イオン注入のエネルギーにより調整する。例文帳に追加

A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained. - 特許庁

フッ化カルシウムなどのフッ化物結晶を有するイオン結合材料を研磨するのに使用される研磨スラリー用溶媒であって、前記イオン結合材料の表面に吸着層を形成可能な水溶性高分子添加剤が2種以上含まれていることを特徴とする研磨スラリー用溶媒とした。例文帳に追加

The solvent for the polishing slurry used for grinding an ionic bond material which has a fluoride crystal of calcium fluoride or the like, is characterized by including two or more water-soluble polymer additives which can form an adsorption layer on a surface of the ionic bond material. - 特許庁

イオン結合を除く配位結合による有機結合であって結晶水を含有する有機化合物から成るサンドブラスト用研磨剤組成物およびこの研磨材組成物によるサンドブラスト後、研磨材及び研鞘屑を空気噴射及び/又は水洗浄により除去するサンドブラスト方法。例文帳に追加

A sandblasting abrasive composition comprises an organic compound composed of organic bonds by coordinate bonding excluding ionic bonding and having a water of crystallinity, and a sandblasting method comprises sandblasting an object with the sandblasting abrasive composition and then, removing the abrasive and ground scrap by air-jetting and/or washing with water. - 特許庁

2,3−ピラジンジカルボン酸と、トランス1,2−ビス(4−ピリジル)エチレンと、水分子とが、5配位金属イオンに配位結合して成る高分子錯体化合物であって、該錯体化合物によって形成される1次元カラム内に結晶水を含み、該結晶水の水分子と、前記配位結合している水分子とが水素結合しているプロトン伝導性配位高分子錯体化合物。例文帳に追加

The proton-conducting coordination polymer complex compound contains water of crystallization in a one-dimensional column formed by a polymer complex compound in which a 2,3-pyrazinedicarboxylic acid, trans-1,2-bis(4-pyridyl)ethylene and a water molecule coordinate-bond to a pentacoordination metal ion, wherein a water molecule of the water of crystallization and the coordinate-bonding water molecule form a hydrogen bond. - 特許庁

耐プラズマ性部材の発明は、実質的にイットリウムアルミン酸ガーネット燒結体から成り、かつ結晶中の酸素欠陥イオンサイトおよび表面領域のイットリウムにフッ素元素が結合していることを特徴とする。例文帳に追加

This plasma resistant member consists substantially of a sintered yttrium aluminate garnet compact and is characterized in that fluorine elements are bonded to the oxygen defect ion site in the crystal and the yttrium in the surface region. - 特許庁

Si単結晶基板上に形成するイオン結合を有する化合物の薄膜素子を製造するに際し、基板直上に金属硫化物のエピタキシャル薄膜を形成すること。例文帳に追加

To form an epitaxial thin film of a metallic sulfide directly on a Si single crystal substrate in the case of manufacturing a compound thin film element having ionic bonds on the Si single crystal substrate. - 特許庁

フッ化物結晶をはじめとするイオン結合材料を研磨するために用いられ、表面あらさおよび表面欠陥の低減等の優れた研磨特性が得られる研磨スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide polishing slurry for the polishing of an ionic bond material including a fluoride crystal and giving excellent polishing properties such as the decrease of surface roughness and surface defects. - 特許庁

また、このタンパク質のアミノ酸配列やかかるタンパク質をコードする遺伝子の塩基配列を決定し、金属イオン結合能を有し、磁気微粒子の結晶構造を制御するタンパク質であることを見出した。例文帳に追加

Further, it is discovered that the protein has combining ability to the metal ion and controls a crystal structure of the magnetic fine particles, by determining an amino acid sequence of the protein and a base sequence of a gene encoding the protein. - 特許庁

n型不純物元素はZnよりもイオン半径が小さいので、II−VI族元素の結合長差に起因する格子歪が緩和され、結晶性が向上する。例文帳に追加

Since the n-type impurity element is smaller than Zn in terms of ionic radius, grid distortion attributable to the difference in bond lengths between elements in groups II-VI is eased for improvement in crystallinity. - 特許庁

不純物のドーピング工程でのイオンの衝突によって発生した結晶のダメージ回復が行えると同時に、未結合手の補償を行うことの可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, which can make a recovery from the damages to the crystal of a polycrystalline semiconductor layer, which is generated by a collision of ions in an impurity doping process, and also can make compensation for uncombined species. - 特許庁

そして、この剥離により第一基板7上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜5表層部を、エッチストップ用イオン注入層6に基づいて形成されたエッチストップ層6’までエッチバックする。例文帳に追加

Furthermore, the surface layer part of the joint silicon single crystal thin film 5, stuck on the first substrate 7, is etched back upto an etch-stop layer 6' that is formed based on the ion implantation layer 6, through this peeling operation. - 特許庁

そして、この剥離によりベースウェーハ7上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜5表層部を、エッチストップ用イオン注入層6に基づいて形成されたエッチストップ層6’までエッチバックする。例文帳に追加

Thereafter, the surface layer section of the thin bonded single-crystal silicon film 5, laminated on the base wafer 7 when the thin 5 is peeled from the wafer 1, is etched back to an etching stopper layer 6', formed based on the ion-implanted layer 6 for stopping etching. - 特許庁

これにより、水またはお湯に溶解している水垢成分のイオン結合結晶化を促進させるため、湯沸かし容器1内面への付着力が低減し、水垢に対して簡単にお手入れができるものである。例文帳に追加

Thus, since the ions of scale components dissolved in the water or the hot water are bonded and crystallization is accelerated, the adherence to the inner surface of the kettle container 1 is reduced and maintenance is easily executed against the scale. - 特許庁

ボディ領域への低抵抗接触を可能にするために、イオン注入によってボディ領域の露出された最上部部分のドーピング濃度を高めることができるか、または高密度の結晶欠陥を有する再結合領域を形成することができる。例文帳に追加

The doping concentration of the exposed top portion of the body region can be increased by ion implantation to provide a low-resistance contact to the body region, or a recombination region having a high-density of crystalline defects can be formed. - 特許庁

このGeイオン注入により、Geエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Si基板10との界面近傍のGeエピタキシャル膜11のGe結合状態が崩れてアモルファス領域13が形成されることとなる。例文帳に追加

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film. - 特許庁

少なくとも2座の有機化合物少なくとも1種を含有する反応媒体中で、金属イオン少なくとも1個に配位結合した少なくとも2座の有機化合物少なくとも1つを含有している結晶性多孔質有機金属骨格物質を電気化学的に製造する方法。例文帳に追加

To electrochemically produce a crystalline porous organic metal skeleton material containing at least one of at least bidentate organic compounds which are coordinately bound to at least one metal ion, in a reaction medium containing the at least one of at least bidentate organic compounds. - 特許庁

リン酸塩結晶質粒子と、リン酸基を含有する(メタ)アクリル酸エステル類の重合体からなり、該リン酸塩結晶質粒子と重合体の少なくとも1部が−P−O−M−O−結合(M:金属イオン)を介して架橋されている複合材料を含有する高分子電解質膜及びそれを用いた固体高分子型燃料電池。例文帳に追加

These are a polyelectrolyte membrane that contains a composite material which is composed of phosphate crystalline substance particles and a polymer of (meth)acrylic ester containing a phosphoric acid group and in which at least a part of the phosphate crystalline substance particle and the polymer is cross-linked through -P-O-M-O-bond (M: metal ion) and a solid polymer fuel cell using the same. - 特許庁

特に、多孔性担体が結晶水を配位した金属イオンを表面に有する多孔性担体であり、スルホン酸基を備えた脂肪族第1アミンが置換によって前記金属イオン結合して、多孔性担体に対して分子状態で、とりわけ多孔性担体の外表面及び細孔内表面に対して高分散担持されている脱臭材。例文帳に追加

The aliphatic first amine having the sulfonic group is coupled with the metal ions by substitution and high-dispersion-carried on the porous carrier in a molecular state, particularly on the outer surface of the porous carrier and on the inner surfaces of pores in this deodorant. - 特許庁

セシウムイオンによりヘイズ値が小さくなる理由は、コーティング液中で半径の大きなセシウムイオンがリオトロピック液晶性色素の酸性基と結合することによってリオトロピック液晶性色素同士の分子間距離が広がり、その結果、乾燥中にリオトロピック液晶性色素の結晶化が抑制されるためであると推定される。例文帳に追加

The reason why the haze value is lowered by the cesium ions is believed to reside in that the cesium ions, which have a large radius, are bonded to the acidic group contained in the lyotropic liquid crystalline dye in the coating liquid to increase the intermolecular distance of the lyotropic liquid crystalline dye and, consequently, the crystallization of the lyotropic liquid crystalline dye is suppressed during drying. - 特許庁

ソースドレインおよびチャネル領域となる島状Si薄膜層33の突出部23の上部に開孔部128を有するレジストマスク7を多結晶Si膜6上に形成した後、Siイオン10注入を行い、ゲート絶縁膜5を構成するSiON膜の原子同士の結合を弱める。例文帳に追加

After a resist mask 7 having a hole part 128 in an upper part of a projection part 23 of an island-like Si thin film layer 33 which turns into a source/drain and a channel region, is formed on a polycrystalline Si film 6, implantation of Si ions 10 is carried out and the bonding of atoms of an SiON film constituting a gate insulation film 5 is weakeded. - 特許庁

染色工程においてアレルゲン不活化剤等の有色の機能剤を添加し、該機能剤を繊維内の分子が規則的に配列されていない非結晶領域でイオン結合させることにより、染色工程より後に行う後加工にて処理する場合よりも機能剤の機能効果の持続性を飛躍的に増加させ、かつ高い耐洗濯性を有するようにする。例文帳に追加

A colored functional agent such as an allergen inactivating agent is added in a dyeing step and the agent is bonded by ionic bond in an amorphous region in which the molecules in the fiber are not regularly arranged to remarkably improve the lasting property of the functional effect of the functional agent and attain high wash resistance compared with the case of treating in a post-treatment step performed after the dyeing step. - 特許庁

具体的には、本発明は、十分な原子異常を特徴とする結晶形態にある1以上の抗菌性金属が結合した生体吸収性基体を含む生体吸収性材料を提供するものであり、当該材料はアルコール又は水性電解液に接触すると抗菌効果を奏するのに十分な濃度で少なくとも1つの抗菌性金属の原子、イオン、分子又はクラスターを放出する。例文帳に追加

Specifically, the invention provides bioabsorbable materials including a bioabsorbable substrate associated with one or more antimicrobial metals being in a crystalline form characterized by sufficient atomic disorder, such that the bioabsorbable material in contact with an alcohol or water based electrolyte, releases atoms, ion, molecules, or clusters of at least one antimicrobial metal at a concentration sufficient to provide an antimicrobial effect. - 特許庁

例文

主として活物質から成る正負一対の電極間に固体電解質を配設したリチウム電池であって、上記活物質粉末の空隙にシロキサン結合(Si−O)を主骨格とする化合物を介在させるとともに、上記固体電解質をリチウムイオン伝導性結晶化ガラスの焼結体で形成した。例文帳に追加

A lithium cell arranges a solid electrolyte between a pair of positive and negative electrodes formed mainly from an active material, a compound with siloxane bond (Si-O) as a main frame is interposed in the spacing of an active material powder, and the solid electrolyte is formed into a sintered body of a lithium ion conductive crystallized glass. - 特許庁

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