defect ionとは 意味・読み方・使い方

The halo component in a corrected part of a white defect, re-deposition near a black defect or deposition near a white defect is removed by an electron beam processing device without damages in the corrected part of the white defect or black defect by a mask defect correcting device using ion beams or by a mask defect correcting device using electron beams.例文帳に追加

イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置や電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置による白欠陥もしくは黒欠陥の修正個所に対して、ダメージのない電子ビーム加工装置で白欠陥修正個所のハロー成分や黒欠陥周辺の再付着もしくは白欠陥周辺の付着を除去する。 - 特許庁

The extracted pattern is transformed into a graphic format of the ion beam defect correcting device and is transferred.例文帳に追加

抽出されたパターンはイオンビーム欠陥修正装置の図形フォーマットに変換し転送される。 - 特許庁

To realize high-quality defect correction of a photomask without leaving a halo component or re-deposition in the mask defect correction using ion beams or the mask defect correction using electron beams.例文帳に追加

イオンビームを用いたマスク欠陥修正や電子ビームを用いたマスク欠陥修正に対して、ハロー成分や再付着のない高品位なフォトマスクの欠陥修正を可能にする。 - 特許庁

In such a case, a pattern which also can be observed by the ion beam defect correcting device is selected as the pattern of alignment.例文帳に追加

このとき、位置あわせのパターンはイオンビーム欠陥修正装置でも観察可能なものを選んでおく。 - 特許庁

Subsequently, an RTA treatment is performed to recover the crystal defect generated by ion implantation.例文帳に追加

その後に、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のためのＲＴＡ処理を行う。 - 特許庁

To solve problems resulting from charge-up upon correcting a defect in an isolated pattern with an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームで孤立パターンの欠陥を修正するときのチャージアップに起因する問題点を解決する。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation, having superior heat resistance or durability and improving the ion implantation accuracy by reducing the defect of a stencil mask for ion implantation, such as, membrane deflection due to the heating of an ion beam, and to provide a low-cost method for manufacturing the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加

イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥が低減され、優れた耐熱性や耐久性を有してイオン注入精度を向上するイオン注入用ステンシルマスクおよびその安価な製造方法を提供すること。 - 特許庁

A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.例文帳に追加

上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Ｑ_Ｉを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置ｄ_Ｉを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁