defect ionとは 意味・読み方・使い方

Focused ion beam used as the pattern defect correcting means allows ion implantation into the buffer layer 3 of the portion having the corrected pattern defect.例文帳に追加

パターン欠陥修正手段として用いる集束イオンビームにより、パターン欠陥が修正された部分の緩衝膜３にはイオンが注入されている。 - 特許庁

The halo component in a corrected part of a white defect, re-deposition near a black defect or deposition near a white defect is removed by an electron beam processing device without damages in the corrected part of the white defect or black defect by a mask defect correcting device using ion beams or by a mask defect correcting device using electron beams.例文帳に追加

イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置や電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置による白欠陥もしくは黒欠陥の修正個所に対して、ダメージのない電子ビーム加工装置で白欠陥修正個所のハロー成分や黒欠陥周辺の再付着もしくは白欠陥周辺の付着を除去する。 - 特許庁

To realize high-quality defect correction of a photomask without leaving a halo component or re-deposition in the mask defect correction using ion beams or the mask defect correction using electron beams.例文帳に追加

イオンビームを用いたマスク欠陥修正や電子ビームを用いたマスク欠陥修正に対して、ハロー成分や再付着のない高品位なフォトマスクの欠陥修正を可能にする。 - 特許庁

The oxygen ion-implanted silicon substrate has preferably a void defect or COP crystal defect density of ≥1×10^5 cm^-3, and a maximum frequency of ≤0.12 μm in the crystal defect size distribution.例文帳に追加

酸素イオンが注入されるシリコン基板は、ボイド欠陥又はＣＯＰからなる結晶欠陥密度が１×１０^5ｃｍ^-3以上でありかつ結晶欠陥のサイズ分布の最大頻度が０．１２μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation, having superior heat resistance or durability and improving the ion implantation accuracy by reducing the defect of a stencil mask for ion implantation, such as, membrane deflection due to the heating of an ion beam, and to provide a low-cost method for manufacturing the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加

イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥が低減され、優れた耐熱性や耐久性を有してイオン注入精度を向上するイオン注入用ステンシルマスクおよびその安価な製造方法を提供すること。 - 特許庁

A correction similar to the correction of irradiated region with respect to the pattern matching processing from the usual secondary ion image or secondary electron image of the ion beam defect correcting device is performed and a defect region 3b which is extracted by the AFM and is subjected to fine adjustment by the conformation of the pattern for alignment is corrected by ion beams 8.例文帳に追加

イオンビーム欠陥修正装置の通常の二次イオン像もしくは二次電子像からのパターンマッチング加工に対する照射領域の補正と同様な補正を行い、AFMで抽出し、位置合わせ用のパターンの合わせ込みで微調整された欠陥領域3bをイオンビーム8で修正する。 - 特許庁

In this method, based on position coordinates of the defect detected by defect detecting means, marking is made in the vicinity of the defect by using an ion beam, etc., sample is monitored with transmission electron microscope to specify the defective section from relative positional relationship between the marking and the defect, and then sample including the target defective section will surely be prepared.例文帳に追加

欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stencil mask for ion implantation which improves an ion implantation accuracy by reducing a defect of the stencil mask for ion implantation such as a deflection of a membrane caused by heating of an ion beam to have excellent heat resistance and durability.例文帳に追加

イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥を低減し、優れた耐熱性や耐久性を有してイオン注入精度を向上するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁