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Si-Oとは 意味・読み方・使い方
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「Si-O」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 406件
Switching between character sets is done using the shift functions ^N (SO or LS1), ^O (SI or LS0), ESC n (LS2), ESC o (LS3), ESC N (SS2), ESC O (SS3), ESC ~ (LS1R), ESC } (LS2R), ESC | (LS3R).発音を聞く 例文帳に追加
文字集合の切り替えはシフトファンクション ^N (SO または LS1),^O (SI または LS0), ESC n (LS2), ESC o (LS3), ESC N (SS2), ESC O (SS3),ESC ~ (LS1R), ESC } (LS2R), ESC | (LS3R) を使って行われる。 - JM
The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加
フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁
O, and ≤0.005% Insol.Al, and satisfying relations [Sol.Al%]≤0.0002×[Cr%]+0.006 and [Sol.Al]≤0.02×([Si%]+[Mn%])+0.006.例文帳に追加
[Sol.Al%]≦0.0002×[Cr%]+0.006 ・・・ (1) [Sol.Al%]≦0.02×([Si%]+[Mn%])+0.006 ・・・ (2) - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING LIGHT EMITTING DEVICE USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND例文帳に追加
Si−O−Si結合を含む化合物を用いた発光素子作製法 - 特許庁
(not in POSIX; not supported under Linux; 017, SI, Ctrl-O) Toggle: start/stop discarding pending output.発音を聞く 例文帳に追加
(POSIX にはない; Linux では対応していない; 017, SI, Ctrl-O)未送信バッファの内容の破棄/保存を切り替える。 - JM
To provide the forming method of low dielectric constant porous film consisting of Si-O cohesion mainly through vapor phase method.例文帳に追加
主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。 - 特許庁
The electrolyte liquid contains a compound having P-O-Si bonding or B-O-Si bonding.例文帳に追加
電解液はP−O−Si結合またはB−O−Si結合を有する化合物を含んでいる。 - 特許庁
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「Si-O」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 406件
The steam-proof film contains R (a rare earth element), Si, and O and has Si-O bond.例文帳に追加
本耐水蒸気膜は、R(希土類元素)、Si及びOを含み、且つ、Si−O結合を有する。 - 特許庁
The core 2 is formed of Si-Al-O-N and the clad part 3 is formed of SiO_2.例文帳に追加
前記コア部2は、Si-Al-O-Nから形成され、前記クラッド部3はSiO_2から形成される。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING C/Si/O COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加
C/Si/O複合材料の製造方法 - 特許庁
A porous dielectric film useful in a semiconductor industry is prepared by depositing an Si-O-C film using a precursor containing carbon and oxygen, and thereafter by decomposing an organic fragment captured inside by heating the Si-O-C film.例文帳に追加
半導体工業において有用な多孔誘電体膜が、炭素及び酸素を含む前駆体を使用してSi-O-C膜を蒸着し、その後Si-O-C膜を加熱して内部に捕獲された有機断片を分解することにより用意される。 - 特許庁
The trialkylsilane oxide is O-Si(CH_3)_3, O-Si(CH_3)_2(CH_2CH_3), O-si(CH_3)(CH_2CH_3)_2 or O-Si(CH_2CH_3)_3.例文帳に追加
トリアルキルシランオキシドは、0−Si(CH_3)_3、0−Si(CH_3)_2(CH_2CH_3)、0−Si(CH_3)(CH_2CH_3)_2、または0−Si(CH_2CH_3)_3である。 - 特許庁
The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加
下地高抵抗層22はTa−Si−O、Ta−Si−O−N、Ta−Si−Al−O又はTa−Si−Al−O−Nのいずれかで形成され、発熱抵抗層23も同様の組成で形成される。 - 特許庁
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