インイオンの英語

本発明は、基板表面部にドリフト領域とソース／ドレインイオン注入領域とを形成させ、その基板にドリフト領域より深くトレンチを形成させ、そのトレンチの底面部分に沿ってチャネル３６を形成させる。例文帳に追加

A drift region and a source/drain ion implanted region are formed on the surface part of a substrate, a trench is made deeper than the drift region in the substrate and a channel 36 is formed along the bottom face part of the trench. - 特許庁

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process. - 特許庁

半導体基板上部にトンネル酸化膜、フローティングゲート電極、誘電体膜及びコントロールゲート電極を形成する段階と、ソース／ドレインイオン注入工程を行ってソース及びドレイン領域を形成する段階と、選択的酸化工程を行って前記ソース及びドレイン領域上に酸化層を形成する段階と、前記フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極の両側面にスペーサを形成する段階とを含んでなる。例文帳に追加

The method for manufacturing the nonvolatile memory cell comprises the steps of: forming a tunnel oxide film, a floating gate electrode, a dielectric film, and a control gate electrode; forming a source and drain region by processing a source/drain ion implantation; forming an oxide layer on the source and drain region by selectively processing oxidation; and forming a spacer on the both sides of the floating gate electrode and the control gate electrode. - 特許庁