エルマスの英語

ここで、Ｐウエル２，Ｎウエル３はそれぞれＰウエルマスク、Ｎウエルマスクを用いて、次に、ゲート絶縁膜４上の全面に、ＬＰＣＶＤ法によりポリシリコン層５を堆積する。例文帳に追加

Then a polysilicon layer 5 is deposited on the whole surface of a gate insulating film 4 by an LPCVD method. - 特許庁

そして、Ｐウエルマスクを用いて、第１のフォトレジスト層６を形成し、これをイオン注入マスクとして、ヒ素等のＮ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＮ型化する。例文帳に追加

In addition, a first photoresist layer 6 is formed by using the p-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to an n-type by implanting the ion of an n-type impurity, such as the arsenic etc., into the layer 5 by using the photoresist layer 6 as an ion implanting mask. - 特許庁

次に、第１のフォトレジスト層６を除去し、Ｎウエルマスクを用いて、Ｎウエル３上に開口部を有する第２のフォトレジスト層７を形成し、この第１のフォトレジスト層６をイオン注入マスクとしてボロン等のＰ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＰ型化する。例文帳に追加

Thereafter, the first photoresist layer 6 is removed, a second photoresist layer 7 having an opening on the n-type well 3 is formed by using the n-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to a p-type by implanting the ion of a p-type impurity, such as the boron etc., into the layer 5 by using the second photoresist layer 7 as an ion implanting mask. - 特許庁