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エレメント cdの英語
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英訳・英語 Element cd
「エレメント cd」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
This reconfigurable integrated circuit device configured into an arbitrary arithmetic state on the basis of configuration data has: a reconfigure circuit unit 10 having a plurality of reconfigurable processor elements, and a processor element network connecting the processor elements in an arbitrary state; and a configuration control part 11 supplying the configuration data (CD) to the processor elements and the processor element network to configure the reconfigure circuit unit in the arbitrary state.例文帳に追加
コンフィグレーションデータに基づいて任意の演算状態に構築されるリコンフィグ可能な集積回路装置において,リコンフィグ可能な複数のプロセッサエレメントと,プロセッサエレメント間を任意の状態で接続するプロセッサエレメントネットワークとを有するリコンフィグ回路ユニット(10)と,プロセッサエレメントとプロセッサエレメントネットワークにコンフィグレーションデータ(CD)を供給して,リコンフィグ回路ユニットを任意の状態に構築するコンフィグレーション制御部(11)とを有する。 - 特許庁
A low m.p. fusible alloy with composition being 30-50 wt.% of In, 8-30 wt.% of Cd and remainder Bi is used as the fuse element.例文帳に追加
In30〜50重量%、Cd8〜30重量%、残部Biの組成の低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとする。 - 特許庁
A fuse element is made of an alloy composed of 25 to 40 wt.% of Bi, 10 to 20 wt.% of Sn, 0.5 to 12 wt.% of Cd, and the remaining part of In.例文帳に追加
Bi25〜40重量%、Sn10〜20重量%、Cd0.5〜12重量%、残部Inの組成の低融点可溶合金線をヒュ−ズエレメント4とした。 - 特許庁
The fuse element consists of 10-30 wt.% of In, 10-30 wt.% of Pb, 5-15 wt.% of Sn, and 0.5-10 wt.% of Cd with the remaining portion consisting of Bi.例文帳に追加
In10〜30重量%、Pb10〜30重量%、、Sn5〜15重量%、Cd0.5〜10重量%、残部Biの組成の合金をヒュ−ズエレメント4とした。 - 特許庁
An allow with a composition being 35-50 wt.% of Sn, 10-20 wt.% of Cd, 6-15 wt.% of Bi, 0.5-10 wt.% of Pb and remainder In is used as the fuse element.例文帳に追加
Sn35〜50重量%、Cd10〜20重量%、Bi6〜15重量%、Pb0.5〜10重量%、残部Inの組成の合金をヒュ−ズエレメントとした。 - 特許庁
A fuse element is made of an alloy composed of 29 to 40 wt.% of Pb, 13 to 18 wt.% of Sn, 7 to 25 wt.% of Cd, and the remaining part of Bi.例文帳に追加
Pb29〜40重量%、Sn13〜18重量%、Cd7〜25重量%、残部Biの組成の合金をヒュ−ズエレメント4とした。 - 特許庁
To provide an alloy fuse made of a Bi-Cd-In alloy that has a significant heat cycle resistance property with a working temperature of about 70°C at a diameter below 500 μm.例文帳に追加
Bi−Cd−In系合金を用い、ヒュ−ズエレメント径が500μmφ未満で作動温度が70℃前後の耐ヒ−トサイクル性に優れた合金型温度ヒュ−ズを提供する。 - 特許庁
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「エレメント cd」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
A fuse element of low melting point fusible alloy wire is made of an alloy composed of 25 to 35 wt.% of Bi, 2 to 4 wt.% of Cd, and the remaining part of In with a diameter below 500 μm.例文帳に追加
Bi25〜35重量%、Cd2〜4重量%、残部Inの組成で、線径が500μmφ未満の低融点可溶合金線をヒュ−ズエレメントとした。 - 特許庁
In a device manufacturing method using a lithographic apparatus, corrections to the dose are applied, within and/or between fields, to compensate for CD variations due to heating of elements of the projection system of the lithographic apparatus.例文帳に追加
リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法において、当該リソグラフィ装置の投影システム内の、予測されるエレメントの発熱に起因するCDのばらつきを補償するために、単一フィールド内でかつ/又は異なるフィールド間でドーズを補正する。 - 特許庁
意味 | 例文 (9件) |
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