シリコンナノ細線の英語

固相エピタキシル成長によって、きわめて簡単な工程で効率的に、複数のシリコンナノ結晶細線を有するシリコンナノ結晶材料を製造する方法及びそのシリコンナノ結晶材料を実現する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently manufacturing a silicon nano-crystal material having a plurality of silicon nano-crystal wires by a solid phase epitaxial growth in an extremely simple process, and to provide a silicon nano-crystal material by the method. - 特許庁

シリコンナノ構造の形成方法、シリコン量子細線配列、及びその上に基礎をおくデバイス例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SILICON NANO-STRUCTURE, SILICON QUANTUM FINE LINE ARRANGEMENT AND DEVICE BASED THEREON - 特許庁

シリコン量子細線配列のようなシリコンナノ構造を制御可能に形成するための処理を提供する。例文帳に追加

To provide a process for controllably forming a silicon nano structure, such as the silicon quantum fine line arrangement. - 特許庁

側面にゲート絶縁膜１２を有する複数のシリコンナノワイヤー１１を互いに平行にかつ互いに分離して配置し、これらのシリコンナノワイヤー１１の周囲にそれらを埋め込むようにゲート電極１３を設けることにより柱状構造の集積型量子細線トランジスタを得る。例文帳に追加

A plurality of silicon nanowires 11 having a gate insulating film 12 on a side are separated in parallel one another for arrangement, and a gate electrode 13 is provided so that the plurality of silicon nano wires 11 can be buried around the silicon nanowires 11, thus obtaining the integrated quantum thin-line transistor having a columnar structure. - 特許庁

シリコンナノワイヤーなどの量子細線に代表される細線状構造体を自己整合的に、所定の位置にしかも所定の方位に載置することができる細線状構造体のアッセンブリ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin wiry structure assembling method for mounting a thin wiry structure represented by a quantum thin wire such as a silicon nanowire at a predetermined location in a self-aligning manner in a predetermined orientation. - 特許庁

シリコンナノワイヤー１７などの細線状構造体を分散させた分散液を基板１１の表面上を所定の方向に流し、細線状構造体の一端の結合部位（金ナノ粒子２１）と基板１１の表面の所定の結合部位（−ＳＨ基）とを結合させる。例文帳に追加

According to the method, a dispersion liquid obtained by dispersing the thin wiry structures such as the silicon nanowires 17, is made to flow on a surface of a substrate 11 in the predetermined orientation, and a binding portion (gold nanoparticle 21) at one end of each thin wiry structure is joined to a predetermined binding portion (-SH group) on the surface of the substrate 11. - 特許庁

シリコンナノワイヤーなどの量子細線の数の制御や位置の正確な制御が可能で、高速動作性および低雑音性に優れ、かつオン／オフ比に優れ、しかも狭いスペースで済むために極めて小型化可能な集積型量子細線トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an integrated quantum thin-line transistor that can control the number of quantum thin lines, such as a silicon nanowire, and accurately control a position, is excellent in high-speed operability and low-noise characteristics, has a superior on/off ratio, and can be extremely miniaturized since only a narrow space is required. - 特許庁