solid phase epitaxial growthとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for efficiently manufacturing a silicon nano-crystal material having a plurality of silicon nano-crystal wires by a solid phase epitaxial growth in an extremely simple process, and to provide a silicon nano-crystal material by the method.例文帳に追加

固相エピタキシル成長によって、きわめて簡単な工程で効率的に、複数のシリコンナノ結晶細線を有するシリコンナノ結晶材料を製造する方法及びそのシリコンナノ結晶材料を実現する。 - 特許庁

Heat treatment is performed so that the amorphous semiconductor layer is subjected to solid-phase epitaxial growth to manufacture this SOI substrate large in thickness of the single-crystal semiconductor layer.例文帳に追加

熱処理を行って、非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、単結晶半導体層の膜厚の厚いＳＯＩ基板を作製する。 - 特許庁

With a main surface being exposed at an opening as a sheet crystal part, an amorphous silicon layer is single-crystallized by a solid-phase epitaxial growth, and a single-crystal silicon layer 45 as a third layer is formed.例文帳に追加

単結晶シリコン層４５が選択的にエッチング除去されることにより、埋め込みゲート電極１１、１３、１５、１７が形成される。 - 特許庁

To provide a method of packing a solid organometallic compound in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor-phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period.例文帳に追加

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which a solid organometallic compound can be packed in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period.例文帳に追加

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。 - 特許庁

A region, on a substrate 11 of this semiconductor device 10, excluding a region corresponding to a channel region 32 is used as a seed crystal region, and a single-crystal film acting as a gate is crystal-grown on the substrate 11 in a form bypassing the channel region 32 by selective epitaxial growth or solid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

半導体装置１０の基板１１上の、チャネル領域３２に対応する領域を除いた領域を種結晶領域として用い、チャネル領域３２を迂回する形で、基板１１上に選択エピタキシャル成長又は固相エピタキシャル成長によってゲートとなる単結晶膜を結晶成長させる。 - 特許庁

Thereafter, a solid-phase epitaxial growth is caused to occur with the crystalline regions 13b existing on and under the amorphous region 13a and a silicon crystal region 10 as a seed layer to turn the amorphous region 13a into a crystalline region 13b.例文帳に追加

その後、非晶質性領域１３ａの上部及び下部に存する結晶性領域１３ｂ及びシリコン結晶領域１０をシード層として固相エピタキシャル成長を生じさせ、非晶質性領域１３ａを結晶性領域１３ｂに変化させる。 - 特許庁

Two neutral particle beams 14 generated by a neutral particle beam source 1 are radiated in the predetermined angle to a substrate 3 to generate a crystal core controlling the crystal alignment, and the substrate 3 is also heated with a heating apparatus 2 to realize solid-phase epitaxial growth of this crystal core.例文帳に追加

中性粒子ビーム源１により発生させた２つの中性粒子ビーム１４を、基板３に対し所定の角度から照射して結晶方位を制御しながら結晶核を発生させ、基板３を加熱装置２により加熱して、この結晶核を固相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁