シーモスの英語

実施例は、フォトアラインキー形成のために別途のマスクを形成する必要がないので、工程を単純化して、製造費用を節減することができる高電圧シーモス素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-voltage C-MOS element and a method of manufacturing the same which can simplify a process and reduce manufacturing cost by eliminating the need for forming another mask for forming a photo align key. - 特許庁

高電圧シーモス素子の製造方法は、半導体基板の所定領域が露出した第１酸化膜パターンを形成して、露出した半導体基板上に第２酸化膜パターンを形成して、第１酸化膜パターンをマスクにしてイオン注入及びアニーリングを遂行して高電圧ディープウェル領域を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the high-voltage C-MOS element, a first oxide film pattern is formed on which a predetermined region of a semiconductor substrate is exposed, a second oxide film pattern is formed on the exposed semiconductor substrate, and ion implantation and annealing are performed with the first oxide film pattern serving as a mask to form a high-voltage deep well region. - 特許庁

実施例のイメージセンサーは、シーモス回路が形成された半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトレンチを含む層間絶縁膜と、該層間絶縁膜のトレンチ内部に形成された金属配線及び第１導電型伝導層と、該第１導電型伝導層及び層間絶縁膜を含む半導体基板上に形成された真性層と、及び前記真性層上に形成された第２導電型伝導層を含む。例文帳に追加

This image sensor comprises: a semiconductor substrate in which a CMOS circuit is formed; an interlayer insulating film containing a trench formed on the semiconductor substrate; metal wiring and a first conductive-type conductive layer which are formed in the trench of the interlayer insulating film; an intrinsic layer formed on the substrate containing the first conductive-type conductive layer and the interlayer insulating film; and a second conductive-type conductive layer. - 特許庁