チタンドープの英語

チタンドープドランタンクロマイト系焼結体及びその製造方法例文帳に追加

TITANIUM-DOPED LANTHANUM CHROMITE BASED SINTERED COMPACT AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

強誘電体材料を被覆するための、チタンドープトアルミニウム酸化物を用いる方法およびそれを含むデバイス例文帳に追加

METHOD USING TITANIUM DOPED ALUMINUM OXIDE FOR COATING FERROELECTRIC MATERIAL AND DEVICE INCLUDING THE SAME - 特許庁

強誘電体材料を被覆するためのチタンドープトアルミニウム酸化物層およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a titanium doped aluminum oxide layer for coating a ferroelectric material and the manufacturing method. - 特許庁

本発明による集積回路デバイスは、第１の金属電極と第２の金属電極との間に位置する強誘電体材料と、第１の金属電極上に位置する、チタンドープトアルミニウム酸化物を含むパッシベーション層とを備える。例文帳に追加

An integrated circuit device is provided with the ferroelectric material positioned between a first metal electrode and a second metal electrode and a passivation layer containing a titanium doped aluminum oxide positioned on the first metal electrode. - 特許庁

被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてＮｉ含有膜およびＡｕ含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method includes a step of forming a transparent conductive film of a titanium-doped indium oxide on a body to be filmed, and a step of forming the metal compound film of an Ni-containing film and an Au-containing film as a conductive connection portion with the outside on the transparent conductive film. - 特許庁

また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。例文帳に追加

A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode. - 特許庁