デバイ方程式の英語

３次元ランプデバイス素子モデルは、ボアソン方程式モデルと、電子連続方程式モデルと、正孔連続方程式モデルと、マクスウェル方程式モデルと、渦電流方程式モデルと、オームの法則方程式モデルとを含む。例文帳に追加

The three-dimensional ramp device element model comprises: a Poisson equation model; an electron continuity equation model; a hole continuity equation; a Maxwell equation model; an eddy-current equation model; and an Ohm's law equation model. - 特許庁

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。例文帳に追加

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other. - 特許庁

半導体素子をメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式・キャリア連続方程式等の物理方程式を解く、デバイスシミュレーション方法において、トラップ密度の高い結晶粒界やMOS界面を含む多結晶薄膜トランジスタに対しても、計算時間や必要メモリ等の大幅な増加なしに、正確な結果を与える、デバイスシミュレーション方法を、実現することを目的とする。例文帳に追加

To obtain accurate results without substantially increasing calculation time, required memory, etc., for a polycrystalline thin film transistor containing a crystal grain boundary with a high trap density and a MOS interface in a device simulation method of dividing a semiconductor element into a mesh and solving physical equations such as potential equations, carrier continuity equations, etc., by each mesh. - 特許庁

演算回路部は、加算デバイスや乗算デバイス等を組み合わせることで、理想C回路モデルやRC回路モデルなどのコンデンサの等価回路から導き出された回路方程式の演算を行う。例文帳に追加

An operation circuit part performs calculation of circuit equations derived from capacitor equivalent circuits of an ideal C circuit, RC circuit and the like by combining an addition device, a multiplication device and the like. - 特許庁

測定デバイスの出力信号を、複数の負荷コンデンサを切り替えることで波形をなまらせる機能を有するＴｒ／Ｔｆ増幅器、および測定結果から連立方程式を計算し、デバイスの立ち上がり，立ち下がり時間を算出する機能を有する演算部を内蔵する各種デバイス共通のＴｒ／Ｔｆ測定器と、各種デバイスに固有なデバイスアダプタから構成される。例文帳に追加

In the Tr/Tf-measuring device are incorporated a Tr/Tf amplifier 210 having a function of dulling a waveform of an output signal of a measurement device by switching a plurality of load capacitors, and an operating part 220 with a function of calculating simultaneous equations from the measured result and calculating a rise or fall time of the device. - 特許庁

シミュレーション装置は、離散化された偏微分方程式に基づいてデバイスシミュレーションを行うための領域の一部を回路によって置き換える置換部と、当該回路において、第１の回路方程式に基づいて電子電流及び電子ポテンシャルを決定するとともに、第２の回路方程式に基づいて正孔電流及び正孔ポテンシャルを決定する解析部と、を備えている。例文帳に追加

The simulation device includes: a replacement part for replacing a portion of a region for device simulation, based on a discrete partial differential equation, with a circuit; and an analysis part for determining electronic currents and electronic potential based on the first circuit equation, and for determining hole currents and hole potential based on the second circuit equation, in the circuit. - 特許庁

ショットキー障壁を量子力学的にトンネルする効果を、古典的・半古典的な輸送方程式に基づくデバイスシミュレータに取り入れ、ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴの電気的特性を高速で正確に解析可能なデバイスシミュレーション装置、方法、プログラムの提供。例文帳に追加

To provide a device simulation apparatus, a device simulation method and a program that accurately analyze electric characteristics of a Schottky source/drain MOSFET at a high speed by employing the effect of quantum-mechanical tunneling through a Schottky barrier for a device simulator based on a classical and a semiclassical transport equation. - 特許庁