トンネルゲートの英語

トンネルゲートウェイ装置例文帳に追加

TUNNEL GATEWAY APPARATUS - 特許庁

トンネルゲート式成形金型例文帳に追加

TUNNEL GATE TYPE MOLDING MOLD - 特許庁

基板１上にトンネルゲート絶縁膜２を形成する。例文帳に追加

On a substrate 1, a tunnel gate insulation film 2 is formed. - 特許庁

第一金型１１と第二金型１２との間に、キャビティー１３とキャビティー１３に成型用樹脂を供給するランナー１４とを備えると共に、ランナー１４の先端にトンネルゲート１５を設けて、このトンネルゲート１５の先端をキャビティー１３の非外観部と連通した補助通路１６に接続する。例文帳に追加

A cavity 13 and a runner 14 for feeding a resin for molding to the cavity 13 are provided between the first mold 11 and the second mold 12 and a tunnel gate 15 is provided at the apex of the runner 14 and the apex of this tunnel gate 15 is connected with a subsidiary path 16 communicated with a non-appearance part of the cavity 13. - 特許庁

そして、可塑化された樹脂材料を固定型１２側のランナ２２からトンネルゲート２１Ｂ及びメインゲート２１Ａを介してキャビティ１７内に射出充填する。例文帳に追加

A plasticated resin material is injected/ packed from a runner 22 on the fixed mold 12 side into a cavity 17 through a tunnel gate 21B and a main gate 21A. - 特許庁

次に、ドレイン領域の上部のＳｉＯ_2膜（酸化膜）３の一部を、約１０ｎｍ厚にするため、ＲＩＥ（反応性イオンエッチングなど）によりＣＦ_4、ＡｒおよびＣＨＦ_3の混合ガスをでＳｉＯ_2膜（酸化膜）３の一部をエッチングし、トンネルゲート酸化膜１０を形成する。例文帳に追加

In order to make a part of the 2 film (oxide film) 3 at the upper part of the drain regain be about 10 nm in thickness, it is etched by RIE(reactive ion etching, etc.), in a mixed gas of CS4, Ar, and CHF3, to form a tunnel gate oxide film 10. - 特許庁

成形後の各リヤホルダ３２，３３が、各可動金型１２，１５によりハウジング３１に対して相対移動されて仮係止される際、ハウジング３１を成形するキャビティのランナー２０を、トンネルゲート２０ａを介してハウジング３１に繋がったままの状態とする。例文帳に追加

When each rear holder 32, 33 after molding is moved relatively to a housing 31 by each movable mold 12, 15, the runner 20 of a cavity which molds the housing 31 is left to be connected with the housing 31 through a tunnel gate 20a. - 特許庁