ナドーの英語

そして、各プレーナドープ層が表面空乏層の分の電子とチャネル層の分の電子をそれぞれドープする。例文帳に追加

Electrons of the component of a surface depletion layer and electrons of the component of the layer 35 are respectively doped to each of the layers 37 and 39. - 特許庁

プレーナドープの高性能性を保持したまま特性変動を抑制できる化合物半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor device capable of suppressing variation in the characteristics while maintaining high performance of planar dope. - 特許庁

プレーナドープＨＥＭＴのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a vapor phase epitaxial method capable of suppressing in-plane variation in sheet carrier concentration of a planar dope HEMT. - 特許庁

このため、プレーナドープ層６中の不純物（Ｓｉ）がチャネル層３まで拡散することはなく、良好な低雑音特性を得ることができる。例文帳に追加

This prevents an impurity (Si) in a planar-doped layer 6 from diffusing into the channel layer 3 thereby to enable satisfactory low-noise characteristic to be obtained. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法により、基板３０上に形成されたチャネル層３５と、前記チャネル層上にプレーナドープ分離層３８を介して少なくとも２層に分離形成されたプレーナドープ層３７、３９とを少なくとも備える。例文帳に追加

A semiconductor wafer is provided with at least a channel layer 35, formed on a substrate 30 by an MOVPE method and planar doped layers 37 and 39 formed isolated in at least two layers on the layer 35 via a planar doped isolation layer 38 by the MOVPE method. - 特許庁

化合物半導体からなるＨＥＭＴ構造の化合物半導体装置において、チャネル層へ電子を供給する電子供給層１４，１６，１８が、ｎ型不純物のプレーナドープ層で形成されており、同一の電子供給層におけるプレーナドープ層１５，１７が２分割以上に分割されている。例文帳に追加

In a compound semiconductor device of an HEMT structure composed of a compound semiconductor, electron supply layers 14, 16, and 18 supplying electrons to a channel layer are formed by planar-doped layers of n-type impurity, and planar-doped layers 15 and 17, which are in the same electron supply layer, are divided into two or more layers. - 特許庁

サウナ装置は、多湿気体又は微細液体等の多湿雰囲気を発生させる多湿雰囲気供給装置Ａと、使用者の頭部以外の略全身を包む身体収容体として寝袋状のサウナドームＣと、多湿雰囲気供給装置ＡとサウナドームＣとを接続する連結部材Ｂとで構成されている。例文帳に追加

This sauna device is constituted of a humid atmosphere supplier A for generating the humid atmosphere of humid gas or fine liquid or the like, a sauna dome C in a sleeping bag shape as a body housing body for wrapping the almost entire body except a head part of the user and a connection member B for connecting the humid atmosphere supplier A and the sauna dome C. - 特許庁

縦方向における不純物分布が急峻な、炭素のプレーナドープ層を形成して、ドーパントの拡散による素子特性の低下を効果的に防止する。例文帳に追加

To effectively prevent characteristic deterioration of an element due to diffusion of a dopant by forming a carbon planar doped layer having a sharp impurity distribution in the vertical direction. - 特許庁