バックゲートの英語

第２のゲート電極１７はバックゲート領域１５に電気的に接続され、バックゲート電位に保持されている。例文帳に追加

The second electrodes 17 are electrically connected to back-gate regions 15 and are held at back-gate voltage. - 特許庁

バックゲート領域１２は、その一部がゲート電極２０に隣接している。例文帳に追加

The back gate region 12 is adjacent to the gate electrode 20 partially. - 特許庁

このバックゲート絶縁膜１１上に能動層３３が形成される。例文帳に追加

An active layer 33 is formed on this back gate insulation film 11. - 特許庁

第２のゲート電極層は、所謂バックゲートとして機能する。例文帳に追加

The second gate insulating layer functions as a so-called back gate. - 特許庁

遮光膜７０を覆ってバックゲート絶縁膜１１が形成される。例文帳に追加

A back gate insulation film 11 is formed covering the light shield film 70. - 特許庁

バックゲート特性が不良である半導体素子の作製を抑制することができるバックゲート特性判定方法及びバックゲート特性判定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a back gate characteristic judging method and a back gate characteristic judging device capable of suppressing the manufacture of a semiconductor element for which back gate characteristics are defective. - 特許庁

このバックゲート駆動信号を発生する回路、及び回路ブロック出力部など負荷の重い論理回路には、ゲートとバックゲートとを接続したトランジスタを用い、そのゲート入力信号でバックゲートを直接制御する。例文帳に追加

A transistor having a gate and a back gate connected is used for a circuit which generates a back-gate driving signal thereof and a logic circuit with a heavy load such as a circuit block output portion, and the back gate is controlled directly with a gate input signal thereof. - 特許庁

分離部３７は、さらに、ｐ型ＭＯＳトランジスタ１１のバックゲートおよびｎ型ＭＯＳトランジスタ２１のバックゲートを、少なくとも双方のバックゲート間に電流が流れるのを阻害する程度に互いに電気的に分離している。例文帳に追加

The separating section 37 further electrically isolates the back gate of the p-type MOS transistor 11 and the back gate of the n-type MOS transistor 21 from each other to such a degree that the current is prevented from flowing at least between the two back gates. - 特許庁