バックゲート効果の英語

しきい値制御性を向上させつつ、絶縁体上に配置された電界効果型トランジスタ下にバックゲート電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a back gate electrode can be formed under a field effect transistor arranged on an insulator while enhancing controllability of threshold. - 特許庁

カレントミラー回路および第１〜第４の電流源を構成するそれぞれの電界効果トランジスタＰ１〜Ｐ６にソース電位より深いバックゲートバイアスを与える。例文帳に追加

A back-gate bias deeper than a source potential is applied to each of field-effect transistors P1-P6 configuring the current-mirror circuit and the first to fourth current sources. - 特許庁

電界効果型トランジスタが形成される半導体層の結晶性の劣化を抑制しつつ、バックゲート電極によるしきい値制御性を向上させる。例文帳に追加

To improve threshold control performance by a backgate electrode while suppressing deterioration of crystallinity of a semiconductor layer on which a field effect transistor is formed. - 特許庁

前記ボディ電極、前記バックゲート電極の夫々には、前記電界効果トランジスタのチャネル形成領域の上層部に形成されるチャネルと反対導電型のキャリアを制御する電位が印加される。例文帳に追加

To each of the body electrode and the back gate electrode is applied potential for controlling carriers having opposite conductivity to a channel formed on the upper layer of the channel forming region of the field-effect transistor. - 特許庁

ドライバトランジスタ及びダイオードにおけるバックゲート効果が抑制され閾値電圧が低下して、両者のゲートーソース間電圧が低減される。例文帳に追加

The back gate effect in the driver transistor and the diode is suppressed and threshold voltage is reduced, thus reducing voltage between the gate and the source of both. - 特許庁

半導体記憶装置１において、セルアレイ部ＣＡにはバックゲート電極２１を設け、周辺回路部ＳＣには電界効果トランジスタ２５のゲート電極２２を設ける。例文帳に追加

In the semiconductor memory device 1, a back gate electrode 21 is arranged in the cell array section CA and the gate electrode 22 of a field effect transistor 25 in the peripheral circuit section SC. - 特許庁

電界効果トランジスタのゲート電極とソース／ドレイン電極との間あるいはバックゲートとソース／ドレイン電極との間に過度な電圧が印加されることを防止できるブートストラップ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a bootstrap circuit capable of preventing an excessive voltage from being applied between a gate electrode and a source/drain electrode of a field-effect transistor or between a back gate and a source/drain electrode. - 特許庁

２つめのＭＯＳトランジスタのドレインとバックゲートを接続し、ソースを双方向導通型電界効果トランジスタのソースに接続する構成とした。例文帳に追加

A drain and a back gate of the second MOS transistor are connected to each other, and a source thereof is connected to a source of the bidirectional conduction type field effect transistor. - 特許庁