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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和対訳 > パッシェン則の英語・英訳 

パッシェン則の英語

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英訳・英語 Paschen's law


Weblio英和対訳辞書での「パッシェン則」の英訳

パッシェン則

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「パッシェン則」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6



例文

帯電バイアスは、カーボンナノチューブ集合体と潜像担持体表面との電位差がパッシェンの放電に基づく放電開始電圧よりも小さくなるようなバイアス値に設定されている。例文帳に追加

The charging bias is set to a bias value so that the potential difference between the carbon nanotube aggregate and the surface of the latent image carrier is smaller than the discharge start voltage, based on the discharge rule of Paschen. - 特許庁

導電性ローラ34は、インクリボン12の表面との間で、パッシェンの法に基づく放電を生出させ、インクリボン12の表面を除電する。例文帳に追加

The conductive roller 34 generates discharge based on the Paschen's law between itself and the surface of the ink ribbon 12 to neutralize the surface of the ink ribbon 12. - 特許庁

真空チャンバ内に真空度計測手段を設けて、真空度に応じてパッシェンの法にもとづいてリニアモータの稼動状態を変化させる。例文帳に追加

A means for measuring the degree of a vacuum is provided in a vacuum chamber, thereby changing the operation state of a linear motor on the basis of a Paschen's law according to the measured degree of the vacuum. - 特許庁

カーボンナノチューブ等のカーボンナノ材料を利用してパッシェンの放電った放電を発生させずに潜像担持体表面を帯電することができ、かつ、フィルミング現象を抑制し得る画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus capable of charging the surface of a latent image carrier, without producing discharges according to the discharge rule of Paschen, by using carbon nano material such as carbon nanotubes as well as capable of suppressing filming phenomenon. - 特許庁

現像ローラ1と回収ローラ17との近接領域における現像ローラ1と回収ローラ17との電位差がパッシェン則による放電電圧よりも小さくなるよう電源2は回収ローラバイアス電源13の少なくとも一方の駆動を制御する。例文帳に追加

The drive of at least a power source 2 or a recovery roller bias power source 13 is controlled so that a potential difference between the developing roller 1 and the recovery roller 17 in the area where the rollers 1 and 17 are adjacent to each other is smaller than a discharge voltage obtained according to Paschen's law. - 特許庁

例文

プラズマCVD法により不純物元素を有する非晶質半導体を形成する方法において、パッシェンの法で最小放電開始電圧を満たす圧力及び電極間隔において、パルス変調した放電開始電圧を電極に印加することより、抵抗率の低い不純物元素を有する非晶質半導体を形成する。例文帳に追加

Thus, an amorphous semiconductor including an impurity element with low resistivity is formed. - 特許庁

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