ひ化ガリウム基板の英語

２方向に劈開性を示す酸化ガリウム基板を含むウエハを分離して素子化する際に、酸化ガリウム基板の劈開を防止する。例文帳に追加

To prevent cleavage of a gallium oxide substrate, when dividing a wafer that includes the gallium oxide substrate indicating cleaving property in two directions into individual element. - 特許庁

表面処理された窒化ガリウム基板を作製する方法は、窒化ガリウム基板を準備する工程を有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the surface-treated gallium-nitride substrate comprises a process for preparing the gallium-nitride substrate. - 特許庁

マルチ−フリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FABRICATING MULTIPLE-FREESTANDING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

次に、露出しているガリウム砒素半導体基板２の裏面を研磨等することにより、ガリウム砒素半導体基板２の板厚を薄肉化する。例文帳に追加

The thickness of the GaAs semiconductor wafer is thinned with its exposed back side ground or the like. - 特許庁

非窒化ガリウム柱１００ａを含み、それらの間に溝１００ｂを規定する基板１００であって、その非窒化ガリウム柱１００ａは非窒化ガリウム側壁１００ｃおよび非窒化ガリウム頂部１００ｄを含み、溝１００ｂは非窒化ガリウム底１００ｅを含むものを用いる。例文帳に追加

A substrate 100 includes non-gallium nitride posts 100a that define trenches 100b therebetween, wherein the non-gallium nitride posts 100a include non-gallium nitride sidewalls 100c and non-gallium nitride tops 100d and the trenches 100b include non-gallium floors 100e. - 特許庁

炭化ケイ素基板１１の表面にアルミ窒化ガリウム／窒化ガリウム層１２（III−Ｖ族窒化物半導体層）を形成する。例文帳に追加

An aluminum gallium nitride/gallium nitride layer 12 (a III-V nitride semiconductor layer) is formed on a surface of a silicon carbide substrate 11. - 特許庁

酸化ガリウム単結晶基板の結晶方位（０１０）または（００１）面を窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。例文帳に追加

The light emitting element is formed by nitriding the crystal orientation (010) or field (001) of gallium oxide single crystal substrate, and forming a gallium nitride crystal on a surface of the gallium oxide single crystal substrate. - 特許庁

窒化ガリウム半導体表面を保護するために表面処理された窒化ガリウム基板を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a surface-treated gallium-nitride substrate for protecting the surface of a gallium-nitride semiconductor. - 特許庁