ヒ素イオンの英語

水性媒体中の有機ヒ素化合物に、鉄イオン、銅イオン、コバルトイオンおよびマンガンイオンからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属イオンの存在下、過酸化水素を反応させて、有機ヒ素化合物を無機ヒ素に酸化分解する有機ヒ素化合物の処理方法。例文帳に追加

This method of treating organoarsenic compound comprises reacting the organoarsenic compound existing in an aqueous medium with hydrogen peroxide in the presence of at least one kind of metal ion selected from a group of comprising an iron, copper, cobalt, and manganese ion to oxidatively decomposing the organoarsenic compound into the inorganic arsenic compound. - 特許庁

５価ヒ素イオンを該イオン含有水溶液から抽出除去する方法であって、吸着剤微粒子を分散させた有機溶剤を５価ヒ素イオンを含有する水溶液と接触させて、５価ヒ素イオンを水相から有機相に移行させることを特徴とする５価ヒ素イオンの抽出除去方法。例文帳に追加

In this method for extracting and removing pentavalent arsenic ions from an aqueous solution containing the ions, an organic solvent in which fine adsorbent particles have been dispersed is brought into contact with the aqueous solution containing pentavalent arsenic ions to transfer the pentavalent arsenic ions from the aqueous phase to the organic phase. - 特許庁

ヒ素除去用吸着剤およびこれを用いたヒ素イオンを含有する被処理水の処理方法例文帳に追加

ADSORBENT FOR REMOVING ARSENIC AND TREATMENT OF ARSENIC ION-CONTAINING WATER TO BE TREATED - 特許庁

低い温度でヒ素イオンを含む薄膜を形成し、熱履歴を減少させることで、不必要なヒ素イオンの拡散を防止し、かつイオン注入工程を省略可能とする。例文帳に追加

To prevent the diffusion of unwanted arsenic ion, and to omit ion injecting process by forming a thin film, including arsenic ion in a low temperature, and reducing thermal history. - 特許庁

次に、ヒ素（Ａｓ^−）をイオン注入、熱拡散して、ｎ＋型のソース領域９を形成する。例文帳に追加

Then an n-type source region 9 is formed in the substrate 1 by injecting arsenic (As^-) into the substrate 1 through ion implantation and thermal diffusion. - 特許庁

ヒ素（Ａｓ）イオン吸着素子と、それを用いた水中のＡｓイオン濃度検出方法及び水中からのＡｓ除去方法。例文帳に追加

ARSENIC ION ADSORBING ELEMENT, METHOD FOR DETECTING ARSENIC ION CONCENTRATION IN WATER USING ARSENIC ION ADSORBING ELEMENT AND METHOD FOR REMOVING ARSENIC FROM WATER - 特許庁

次に、このサイドキャップ膜６をマスクとして、ヒ素イオンをイオン注入することで、高濃度のソース領域７ｂを形成する。例文帳に追加

Then, a high concentration source region 7b is formed by implanting arsenic ion taking the side cap film 6 as a mask. - 特許庁

ヒ素、アンチモンを活性層用ウェーハ１０の貼り合わせ側の面にイオン注入後、このイオン注入面を５〜２０ｎｍエッチングする。例文帳に追加

Arsenic and antimony are ion-injected to the laminated side face of a wafer 10 for an active layer, and then the ion injection face is etched by 5 to 20 nm. - 特許庁