ヒ素ドープの英語

１つの実施形態において、ミデアムドープ・ソース／ドレイン領域は、ヒ素が１０^13〜１０^14／ｃｍ^2の濃度にドープされる。例文帳に追加

In one embodiment, the medium doped source/drain region is doped with arsenic at a concentration of 10^13-10^14/cm^2. - 特許庁

多結晶シリコン膜３の成長前処理において，シリコン基板１上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜３はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜５となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

ヒ素をドープしたシリコン単結晶ウェーハにおいて、エピタキシャル層のピット欠陥を低減したエピタキシャルウェーハの提供。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer in which pit defect in an epitaxial layer is reduced in a silicon single crystal wafer in which arsenic is doped. - 特許庁

第１酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％以上１０％以下ドープされ、第２酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％未満ドープされることが好ましい。例文帳に追加

It is preferred that titanium in a titanium dioxide forming the first oxide layer is doped with one of niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, aluminum, and tungsten by 1 to 10% in terms of mol ratio, and titanium in a titanium dioxide forming the second oxide layer is doped with one of niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, aluminum, and tungsten by <1% in terms of mol ratio. - 特許庁

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。例文帳に追加

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method. - 特許庁

シリコン基板１に絶縁膜２を形成し、抵抗素子形成部を選択的に開口しエッチング除去し、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜３を膜厚約０．１μmで全面に成膜する。例文帳に追加

An insulating film 2 is formed on a silicon substrate 1, a resistance element forming part is selectively opened and eliminated by etching, and an arsenic-doped polycrystal silicon film 3 of about 0.1 μm in thickness is formed on the whole surface. - 特許庁

ヒ素ドープの低抵抗シリコンウェーハ上にエピタキシャル成長させる際に、簡易な方法で、積層欠陥の発生を防止することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer that can prevent a stacking fault from being caused by a simple method during epitaxial growth of an epitaxial layer on an arsenic-doped low-resistance silicon wafer. - 特許庁