プラズマ重合体の英語

半導体基板上に，低い比誘電率，高い耐熱性，耐吸湿性及び高い酸素プラズマ抵抗を有するシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法がプラズマCVD装置に適用される。例文帳に追加

A method for forming a silicone polymer insulation film having a low dielectric constant, a high heat resistance, a high humidity resistance and a high oxygen plasma resistance on a semiconductor substrate 4 is applied to a plasma CVD apparatus. - 特許庁

本発明は更に下方処理ゾーンから排気し、重合体エッチング前駆体ガスから外部チャンバ内でプラズマを発生させ、プラズマからの副生成物を下方処理ゾーンへと導入することを含む。例文帳に追加

The method further includes evacuating the lower process zone, generating a plasma in an external chamber from a polymer etch precursor gas, and introducing a by-product from the plasma into the lower process zone. - 特許庁

容量結合型プラズマＣＶＤ装置により半導体基板上１に炭化水素系重合体膜を形成する方法が与えられる。例文帳に追加

Disclosed is a method for forming a hydrocarbon-containing polymer film on a semiconductor substrate 1 by a capacitively-coupled plasma CVD apparatus. - 特許庁

パターン側壁に堆積したプラズマ重合膜の剥離性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device whereby a plasma polymer-film deposited on the side wall of a pattern of the semiconductor device can be peeled therefrom excellently. - 特許庁

光重合型の感光性蛍光体ペ—スト組成物及びこれを用いたプラズマディスプレ—パネルの蛍光膜形成方法例文帳に追加

PHOTOPOLYMERIZABLE PHOTOSENSITIVE PHOSPHOR PASTE COMPOSITION AND FORMING METHOD OF PHOSPHOR FILM FOR PLASMA DISPLAY PANEL USING THAT - 特許庁

大気圧プラズマ発生電極間において発生させたプラズマを、電極外に配置した織編物又は不織布の片面に照射して活性種を生成させ、次いで該活性種に重合性単量体をグラフト重合させる織編物又は不織布の片面改質方法。例文帳に追加

This method comprises generating plasma between atmospheric plasma generating electrodes, generating active species by irradiating the plasma to one side of the textile or the nonwoven fabric set outside the electrodes and graft-polymerizing a polymerizable monomer with the active species. - 特許庁

被覆層２は、有機珪素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより容器１の内表面上に形成された有機珪素化合物のプラズマ重合体を含む珪素含有被膜であり、５０〜７００オングストロームの厚さを備え珪素と酸素との原子比が１／１．５〜１／２．３である。例文帳に追加

The coating layer 2 is a silicon-containing film including a plasma polymer of an organosilicon compound formed on the inner surface of the container 1 by a plasma CVD from a starting raw material containing the organosilicon compound, and has a thickness of 50-700 Å and an atomic ratio of silicon to oxygen of 1/1.5-1/2.3. - 特許庁

フラーレン分子を蒸着した後、この蒸着膜４Ａに、ＲＦプラズマ等の電磁波１０を照射することによって、前記フラーレン分子を重合体化してフラーレン重合体膜４を生成する。例文帳に追加

After fullerene molecules are vapor deposited, the deposited film 4A is irradiated with electromagnetic waves 10 such as RF (radio frequency) plasma in order to polymerize the above fullerene molecules to form a fullerene polymer film 4. - 特許庁