プラズマ酸窒化の英語

絶縁基板１０１を酸素プラズマでクリーニングした後窒素プラズマ処理にて安定化させた清浄処理層１０２を形成する。例文帳に追加

An insulating substrate 101 is cleaned with oxygen plasma, then stabilized by treatment with nitrogen plasma to form a clean treated layer 102. - 特許庁

酸素プラズマにてレジストを除去し、プラズマＣＶＤ法により窒化膜１６を厚さ１．０μｍ着膜する。例文帳に追加

The resist is removed by oxide plasma, and a nitride film 16 with a thickness of 1.0 μm is stuck by the plasma CVD method. - 特許庁

その後、酸素プラズマにさらし、上記酸化窒化膜の表面のＮ−Ｈ結合を酸素で終端する。例文帳に追加

Then, it is exposed to oxygen plasma with N-H bond on the surface of the oxide nitride film being terminated by oxygen. - 特許庁

これらのゲート電極の上にプラズマＴＥＯＳ膜からなるシリコン酸化膜５、シリコン窒化膜７、プラズマＴＥＯＳ膜からなるシリコン酸化膜９を形成し、その上面にプラズマシラン膜１０を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film 5 composed of a plasma TEOS film, a silicon nitride film 7, and a silicon oxide film 9 composed of the plasma TEOS film are formed on the gate electrodes, and a plasma silane film 10 is formed on the upper surface. - 特許庁

このベースＳｉＯＮ膜は、Ｓｉ基板の熱酸窒化もしくはＳｉ基板上の酸窒化膜の堆積により形成し、その後、酸化工程（プラズマ酸化、もしくはＯ_2酸化）を行い、引き続きプラズマ窒化を行う。例文帳に追加

The base SiON film is formed through thermal oxidization/nitrization of a Si substrate or deposition of an oxidized/nitided film on the Si substrate, and then oxidization step (plasma oxidization or O_2 oxidization) is followed by plasma nitirization. - 特許庁

プラズマ触媒反応器、空気浄化装置、窒素酸化物浄化装置、及び燃焼排ガス浄化装置例文帳に追加

PLASMA CATALYST REACTOR, AIR CLEANER, NITROGEN OXIDE CLEANER AND WASTE COMBUSTION GAS CLEANER - 特許庁

タンタル又は窒化タンタル膜は、酸化性プラズマ化学物質を用いて選択的に取り除かれる。例文帳に追加

The tantalum or the tantalum nitride film is selectively removed, using an oxidative plasma chemical substance. - 特許庁

そして、プラズマ窒化処理後のシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化表面を大気に曝露させないようにプラズマ窒化処理に連続してＡＬＤ処理を施し、その上にシリコン窒化膜を堆積する（ステップＳ３）。例文帳に追加

Subsequently, ALD processing is performed continuously on the surface of the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film subjected to plasma nitriding so that the surface is not exposed to the atmosphere, and a silicon nitride film is deposited thereon (step S3). - 特許庁