「プラズマ酸窒化」に関連した英語例文の一覧と使い方

プラズマ励起用のガスを用いてプラズマを発生させ、処理用ガスを前記プラズマ内に導入して被処理物を処理するプラズマ処理方法で、処理用ガスは亜酸化窒素ガスを含み、かつ前記亜酸化窒素ガスを電子温度が２．２４ｅＶ未満のプラズマ中に導入することで絶縁膜にダメージを与えるイオンの発生を軽減させることで、高品質な酸窒化を実現できるプラズマ処理方法、及びこのプラズマ処理方法を使った電子装置の製造方法を実現できる。例文帳に追加

The manufacturing method of an electronic device can be realized using the plasma processing method. - 特許庁

そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。例文帳に追加

Plasma is generated under an atmosphere of a gas containing nitrogen atoms and plasma nitridation is performed on part of the oxide film, so that a semiconductor substrate in which an insulating film containing nitrogen atoms is formed over the oxide film is obtained. - 特許庁

次いで初期酸窒化物層にプラズマ窒化物形成を行い、それによって、最終物理厚を有する最終酸窒化物層が得られる。例文帳に追加

Then a plasma nitride forming treatment is applied for the initial oxynitride layer, and the final oxynitride layer having the final physical thickness is formed. - 特許庁

二酸化シリコン層のリモート・プラズマ窒化が行われ、酸化に対する耐性を有するシリコン酸化窒化物層（１０６）をつくる。例文帳に追加

The silicon dioxide layer is subjected to remote plasma nitriding, so that a silicon oxide/nitride layer 106 of oxidation resistance is formed. - 特許庁

エンジンからの排ガスの流路に備えられるプラズマ発生器によってプラズマを発生させ、該排ガス中の窒素成分をプラズマ化して二酸化窒素を生成し、排ガス中の黒鉛微粒子を酸化燃焼することを特徴とするエンジン排ガスの処理方法、並びに、エンジン排ガスの処理装置。例文帳に追加

The method and device for processing the exhaust gas from the engine include a plasma generator installed in a passage for the exhaust gas from the engine for generating plasma, whereby the nitrogen component of the exhaust gas is turned into plasma so that nitrogen dioxide is produced, and graphite particulates in the exhaust gas are oxidated and combusted. - 特許庁

半導体基板上に形成された窒化チタン膜に対して、希ガスまたは窒素を含み、酸素を含まない処理ガスをプラズマ化して得たプラズマを照射することにより、前記窒化チタン膜の比抵抗率を増加させる。例文帳に追加

By irradiating the titanium nitride film formed on a semiconductor substrate with plasma obtained by changing a processing gas containing a rare gas or nitrogen without containing oxygen into plasma, specific resistivity of the titanium nitride film is increased. - 特許庁

プラズマとして大気圧非平衡プラズマを用い、還元剤を複数段に分割注入することにより、亜酸化窒素の再生成を抑制し、排ガス中の亜酸化窒素をほぼ完全に分解することができる。例文帳に追加

An atmospheric-pressure equilibrated plasma is used as the plasma, and the reducing agent is charged in two or more stages in a divided manner so as to control re-formation of nitrous oxide and decompose nitrous oxide in the exhaust gas nearly completely. - 特許庁

コンデンサを搭載した化合物半導体装置であって、該コンデンサの絶縁体は、プラズマＣＶＤシリコン酸化膜上にプラズマＣＶＤシリコン窒化膜を形成することにより、下層のプラズマＣＶＤ酸化膜中のシリコン原子の余った結合手により水素原子が捕獲され信頼性の悪化を招かない。例文帳に追加

Since hydrogen atoms are captured by excess bonds of silicon atoms in the underlying plasma CVD silicon oxide film, the reliability is not deteriorated. - 特許庁

シリコン酸化膜をリモートプラズマ処理により窒化して酸窒化膜を形成する成膜方法において、金属汚染を抑制する。例文帳に追加

To suppress metal contamination in a film deposition method for forming an oxynitride film by nitriding a silicon oxide film by remote plasma processing. - 特許庁

成膜条件変更によりプラズマＣＶＤシリコン窒化膜の高電界破壊強度化を図り、それと共に窒化膜下層にプラズマＣＶＤシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

In the compound semiconductor device mounting a capacitor, an insulator of the capacitor is obtained by forming a plasma CVD nitride film on a plasma CVD silicon oxide film. - 特許庁

シリコン酸化膜を窒化処理する際に、リモートプラズマ源への窒化ガスの供給量を、リモートプラズマ源のガス通路のスパッタに使われるエネルギ増加し始める所定値以下に設定する。例文帳に追加

When a silicon oxide film is subjected to nitriding, amount of nitriding gas supply to a remote plasma source is set lower than a predetermined level at which energy used for sputtering the gas passage of the remote plasma source begins to increase. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された酸素を含んだ絶縁膜をプラズマ窒化する工程(S102)において、連続して実行するプラズマ窒化処理を、１００マイクロ秒以上の間隔をあけて２回以上行う。例文帳に追加

In this manufacturing method of a semiconductor device, in a process S102 of plasma-nitriding an insulation film formed on a semiconductor substrate, and containing oxygen, a plasma nitriding treatment is executed two or more times at an interval of ≥100 μsec. - 特許庁

亜酸化窒素を含む排ガスを、アンモニアを還元剤としてプラズマにより無触媒で窒素と酸素と水に還元する。例文帳に追加

The exhaust gas containing nitrous oxide is reduced to nitrogen, oxygen and water by plasma with ammonia as a reducing agent and without a catalyst. - 特許庁

窒化シリコンと酸化シリコンを有する被処理物において、略常圧下で前記窒化シリコンを選択的にプラズマエッチングする。例文帳に追加

To selectively conduct the plasma etching to silicon nitride under the almost normal pressure for the processing object including silicon nitride and silicon oxide. - 特許庁

溝の内部に窒化金属膜を介して埋め込まれたフォトレジストのプラズマアッシングに際して、窒化金属膜の酸化を防止する。例文帳に追加

To prevent oxidation of a metal nitride film on the occasion of plasma ashing of photoresist embedded into the groove via the metal nitride film. - 特許庁

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma. - 特許庁

窒化チタン１０の表面を、150℃以上での酸素プラズマ処理または酸化雰囲気での400℃以上での熱処理により酸化させる。例文帳に追加

The surface of a titanium nitride 10 is oxidized in an oxygen plasma process at 150 °C or above, or a thermal process in an oxidizing atmosphere at 400 °C or above. - 特許庁

この基材Ｗを温調手段４０で３５０℃程度に加熱、温調しながら、酸素と窒素の混合ガス等からなる結晶化用処理ガスをプラズマ照射手段１０にてプラズマ化し、このプラズマを基材Ｗに照射する。例文帳に追加

While the base material W is heated to about 350°C by a temperature control means 40, so as to perform temperature control, a treatment gas for crystallization, e.g., composed of a gaseous mixture of oxygen and nitrogen is converted into plasma by a plasma irradiation means 10, and the base material W is irradiated with the plasma. - 特許庁

この多層シリコン酸化膜をプラズマ窒化法などにより窒化してシリコン酸化窒化膜５、６を形成し、上層ほど窒素濃度が高い窒素濃度プロファイルを有する多層シリコン酸化窒化膜を形成する。例文帳に追加

The multilayered silicon oxide film is nitrided through a plasma nitriding method into silicon oxide nitride films 5 and 6, so that the multilayered silicon oxide nitride film whose upper part gets higher in nitrogen concentration than its lower part can be formed. - 特許庁

シリコン酸化膜が形成された前記シリコン基板を準備する工程と、前記シリコン酸化膜上に窒素ガスを導入してプラズマを生成して該プラズマ処理する工程と、前記シリコン酸化膜の上部を前記プラズマにより窒化して、該シリコン酸化膜の上部をシリコン窒化膜に変化させる工程とを有する。例文帳に追加

The plasma processing method includes the steps of: preparing a silicon substrate where a silicon oxide film is formed; performing plasma processing by introducing nitrogen gas on the silicon oxide film to generate plasma; and nitrifying an upper part of the silicon oxide film with the plasma to change the upper part of the silicon oxide film into a silicon nitride film. - 特許庁

このような窒素濃度プロファイルを実現するためには、酸化膜又は酸窒化膜を形成してからその表面領域をプラズマ窒化処理するか、窒化膜又は酸窒化膜を形成してからＳｉ基板の表面領域を酸化する。例文帳に追加

In order to realize this nitrogen concentration profile, the surface region of the oxide film or oxinitride film is subjected to plasma nitriding after the film is formed or the surface region of the Si substrate 1 is oxidized after a nitride film or the oxinitride film is formed. - 特許庁

２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの表面をマイクロ波でプラズマ化した窒素ガスによりプラズマ処理し、さらに無機酸化物を積層することを特徴とする透明蒸着フィルムの製造方法を提供する。例文帳に追加

In the production method for the transparent vapor-deposited film, the surface of a biaxially oriented polyethylene terephthalate film is subjected to plasma treatment with a gaseous nitrogen made into plasma by microwaves, and further an inorganic oxide is layered on the film. - 特許庁

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas. - 特許庁