「プラズマ酸窒化」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

前面基板４上に形成した走査電極５および維持電極６を覆うように誘電体層９を形成し、この誘電体層９を覆うように保護層１０を形成したプラズマディスプレイパネルであって、保護層１０は窒化珪素を含むものであり、保護層１０を、窒化珪素の濃度範囲が２０重量ｐｐｍ〜７５００重量ｐｐｍの酸化マグネシウムで構成する。例文帳に追加

In the plasma display panel provided with a dielectric layer 9 formed so as to cover a scanning electrode 5 and a sustaining electrode 6 which are formed on a front substrate 4, and a protective layer 10 formed to cover the dielectric layer 9, the protective layer 10 includes silicon nitride, and is structured of magnesium oxide with concentration range of the silicon nitride from 20 weight ppm to 7500 weight ppm. - 特許庁

表面にシリサイド膜が形成された領域を有する半導体基板を、酸素元素を含むガス雰囲気中でプラズマ処理してシリサイド膜の上に酸化膜を形成する工程と、その酸化膜を形成した後、半導体基板の表面を覆うシリコン窒化膜を形成する工程と、を備えた。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of subjecting a semiconductor substrate having a region where a silicide film is formed on a surface to a plasma treatment in a gas atmosphere containing an oxygen element to form an oxide film on the silicide film and a process of forming a silicon nitride film covering the surface of the semiconductor substrate after the oxide film is formed. - 特許庁

常圧プラズマＣＶＤにて金属酸化薄膜を形成するにあたり、金属化合物ガスと希釈ガスとの混合ガスに対し、パーフルオロカーボンガス、フッ化窒素ガス、硫化フッ素ガスまたはフッ素ガスの少なくとも１種類のガスを含むフッ素系ガスを１〜２０体積％配合した複合ガスを原料ガスとして用いて基材上に金属酸化膜を形成する。例文帳に追加

At the time of forming the thin metal oxide film by atmospheric pressure plasma CVD, a metal oxide film is formed on a base material by using a compound gas prepared by compounding a fluorine-based gas containing at least one of gaseous perfluorocarbon, gaseous nitrogen fluoride, gaseous fluorine sulfide or gaseous fluorine at 1 to 20vol% with a gaseous mixture composed of a gaseous metal compound and diluting gas as a gaseous raw material. - 特許庁

金属もしくは金属酸化物層を有するフィルム上に、有機珪素化合物と希ガスあるいは窒素を含有する反応ガスを用いて、プラズマＣＶＤにより、有機基を有する酸化珪素の膜からなる積層膜を形成する方法において、反応ガスが還元性ガスを有することを特徴とする積層膜を形成する方法。例文帳に追加

In the method for depositing a laminate film consisting of a silicon oxide film having an organic group on a film having metal layer or a metal oxide layer by the plasma CVD by using a reaction gas containing organosilicon compound and rare gas or nitrogen, the reaction gas contains reducing gas. - 特許庁

パターニングしたＳＯＧ膜をマスクとして用い、ＳＯＧ膜の下層に位置する有機膜を、アンモニア（ＮＨ_3）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、シアン化水素（ＨＣＮ）ガス、メタン（ＣＨ_４）ガス、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）ガス、メタノールガス、エタノールガスから成るグループから選択されるいずれか１のガスを導入して、酸素ガスとの混合ガスプラズマによりエッチングする。例文帳に追加

Using a patterned SOG film as a mask, any one of gas selected from a group of ammonia (NH3) gas, nitrogen dioxide (NO2) gas, hydrogen cyanide (HCN) gas, methane (CH4) gas, ethylene (C2H4) gas, methanol gas and ethanol gas is introduced and etching is performed by plasma of mixture gas with oxygen gas. - 特許庁

半導体装置における絶縁膜を成膜する方法であって、プラズマＣＶＤ法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）と、酸化ガスとして亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）とを用い、室温から２５０℃までの基板温度にて絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の成膜方法とする。例文帳に追加

In the method of forming an insulating film in a semiconductor device, TMS as a material gas of the insulating film and nitrous oxide (N_2O) as an oxide gas are used, to form the insulating film at a substrate temperature ranging from room teperature up to 250°C by plasma CVD method. - 特許庁

銅からなる埋込配線構造を有する半導体装置において、配線キャップ用の絶縁膜１５ｂを、例えばトリメトキシシランガスと酸化窒素ガスとの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＯＮ膜によって形成する際に、埋込第２層配線Ｌ２の導電性バリア膜１７ａが酸化されないようにする。例文帳に追加

In the case of forming an insulating film 15b for a wiring cap by an SiON film formed by a plasma CVD method using mixed gas of trimethoxysilane gas and nitrogen oxide gas in a semiconductor device having embedded wiring structure composed of copper, a conductive barrier film 17a of embedded 2nd film wiring L2 is prevented from being oxidized. - 特許庁

チェンバー１２６内、半導体基板１２４を保護するガイドリング１００を変形し、半導体基板１２４とガイドリング１００との間の離隔距離を多元化したり、また、ＨＤＰ酸化膜蒸着前にトレンチに蒸着されるライナー用窒化膜を所定の厚みにしてＨＤＰ蒸着過程でできるプラズマイオンのアタックを最小化する。例文帳に追加

A guide ring 100 for protecting the semiconductor substrate 124 is deformed in a chamber 126, separation between the semiconductor substrate 124 and the guide ring 100 is diversified, and the attack of plasma ions generated in an HDP evaporation process is minimized, by forming a nitride film for a liner evaporated in the trench, before HDP oxide-film evaporation, into a specified thickness. - 特許庁

高分子基材上に酸化亜鉛含有比率４〜２５質量％のＩＺＯ透明導電膜を形成する方法において、反応容器内の放電空間外の酸素濃度が２〜９体積％であり、かつ、窒素大気圧プラズマ法により、２つの異なる周波数を印加して作製することを特徴とするＩＺＯ透明導電膜形成方法。例文帳に追加

An IZO transparent conductive film containing a zinc oxide by 4 to 25 wt.% is formed on a polymeric base material by a nitrogen atmospheric pressure method in a state that oxygen density outside a discharging space in a reaction container is 2 to 9 volume %, by impressing two frequencies different from each other. - 特許庁

支持体上に感光性ハロゲン化銀粒子、有機銀塩、還元剤及び結合剤を含有する感光層と該感光層に隣接する保護層を有し、支持体に対して感光層側とは反対側にバッキング層を有する光熱写真画像形成材料において、最外層に酸化珪素又は窒化珪素の高周波数プラズマ気相成長薄膜を塗設したことを特徴とする光熱写真画像形成材料。例文帳に追加

This material is specified by coating the outside with a film of silicon oxide or silicon nitride using a high frequency plasma vapor growth method. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、シリコン半導体に比べてバンドギャップが広いシリコンカーバイト（ＳｉＣ）、ダイヤモンド、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などのワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いる。例文帳に追加

This plasma display device is provided with the sustaining circuit supplying a sustaining pulse voltage to electrodes of a plasma display panel and switching elements which are made of a wide band-gap semiconductor such as silicon carbide (SiC), diamond, gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO) whose band gaps are wider as compared with that of a silicon semiconductor are used in the sustaining circuit. - 特許庁

ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマＣＶＤにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor device including a contact layer, a metal interconnection and an interlayer insulating film on a semiconductor substrate having a gate electrode formed thereon, the interlayer insulating film is formed on the metal interconnection by bias-applied plasma CVD using source gas containing hydrogen atoms, and a silicon oxynitride film is provided in the underlayer of the metal interconnection and the interlayer insulating film. - 特許庁

コバルトの微粒子を分散させたチタン製基板を用いて、メタンガスと水素ガスの混合物を、基板温度を５００℃に維持して、プラズマＣＶＤ法により、カーボンナノチューブを基板上に堆積させ、次に、このカーボンナノチューブの堆積した基板と酸化ホウ素を窒素気流中で、１５００℃から２０００℃で置換反応させることにより、１２層周期および２４層周期の長周期構造を有する窒化ホウ素ナノ繊維を製造する。例文帳に追加

Carbon nanotubes are deposited on a titanium substrate containing dispersed fine cobalt particles by plasma CVD process using a mixture of methane gas and hydrogen gas and keeping the substrate temperature at 500°C and the substrate holding the deposited carbon nanotubes is subjected to substitution reaction with boron oxide in nitrogen stream at 1500-2000°C to obtain the boron nitride nanofibers having a long-period structure consisting of 12-layer period and 24-layer period. - 特許庁

超臨界状態のアルゴン、二酸化炭素または窒素を雰囲気流体とする密閉容器内に炭素源となる原料化合物を供給しつつ、前記密閉容器内に設けられた２つの電極に電圧を印加することで前記２つの電極間に生起させた放電プラズマによって前記原料化合物を分解し、前記２つの電極のうちの少なくとも一方の電極上に膜状の炭素材料を形成する炭素材料の製造方法。例文帳に追加

In this method of manufacturing a carbon material, while a feed compound as carbon source is supplied in a closed vessel in which argon, carbon dioxide or nitrogen in supercritical state is contained as an ambient fluid, discharge plasma is generated by applying a voltage between the two electrodes set in the closed vessel and the feed compound is decomposed by the discharge plasma and a membranal carbon material is formed at least on one of the two electrodes. - 特許庁

Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎ及び３ａ族及び／又は２ａ族の元素によって構成されたガラスからなる耐蝕性部材、及びこれら組成からなるガラス質の耐蝕性溶射膜を被覆した部材は、腐食性ガス及びプラズマに対する耐蝕性と耐熱強度が高く、パーティクルの発生が少なく、このようなガラス質の耐蝕性部材は窒化ケイ素、アルミナ、シリカ及び３ａ及び／又は２ａ族元素の酸化物を混合・成型・熱処理又は基材に対して溶射を行うことによって製造することができる。例文帳に追加

The corrosion resistant member of glass can be manufactured by mixing, molding, heat-treating silicon nitride, alumina, silica and oxides of elements of group 3a and/or group 2a, or performing thermal spraying on a base material. - 特許庁