ホトダイオードアレイの英語

ホトダイオード、ホトダイオードアレイ、分光器およびホトダイオードの製造方法例文帳に追加

PHOTODIODE, PHOTODIODE ARRAY, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND SPECTROSCOPE - 特許庁

電極や配線を一方の面側に集めてもクロストークの発生を良好に抑制することができるホトダイオードアレイの提供。例文帳に追加

To provide a photodiode array capable of satisfactorily reducing the generation of any cross-talk even at the time of collecting electrodes or wiring at one face side. - 特許庁

低ノイズで速い光応答速度を有するとともに、さらに、高い光感度を有するホトダイオードと、このホトダイオードを複数備えるホトダイオードアレイと、このホトダイオードアレイを光検出手段として用いる分光器と、このホトダイオードの製造方法と、を提供すること。例文帳に追加

To have a fast optical responsive speed in low noises, and to provide a photodiode having a high light sensitivity, a photodiode array provided with a plurality of photodiodes, a spectroscope which uses this photodiode array as a light detecting means, and a method for manufacturing the photodiode array. - 特許庁

ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側のホトダイオード４が形成された領域と対応しない領域に、所定の高さを有し、樹脂、金属又は絶縁材からなるスペーサ６を設けてホトダイオードアレイ１とする。例文帳に追加

In a photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, spacers 6 having a specified height formed of resin, metal or an insulating material are provided in regions on the incident surface side not corresponding to regions where the photodiodes 4 are formed. - 特許庁

ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側の少なくともホトダイオード４が形成された領域と対応する領域を被覆し、被検出光Ｌを透過する透明樹脂膜６を入射面側に設けてホトダイオードアレイ１とする。例文帳に追加

In the photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, a transparent resin film 6 transmitting the light L to be detected is provided on the incident surface side to cover at least regions on the incident surface side corresponding to the regions where the photodiodes 4 are formed. - 特許庁

ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側のホトダイオード４が形成された領域と対応する領域に、ホトダイオードが形成された領域と対応しない領域よりも窪んだ所定の深さを有する凹部６を設けてホトダイオードアレイ１とする。例文帳に追加

In a photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, recesses 6 having a specified depth caved from regions not corresponding to regions where the photodiodes are formed are provided in regions on the incident surface side not corresponding to the regions where the photodiode 4 are formed. - 特許庁

ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器において、実装時におけるホトダイオードの対応領域にもたらされるダメージによるノイズの発生を防止する。例文帳に追加

To prevent generation of noise due to a damage given to regions corresponding to photo diodes at the time of packaging in a photodiode, its manufacturing method and a radiation detector. - 特許庁

ホロカソードランプ１７に高電圧を印加するためのスイッチ回路１１を、高耐電圧のＦＥＴ１５と、発光ダイオード−ホトダイオードアレイ結合型ホトカプラ１２とで構成する。例文帳に追加

A switch circuit 11 for applying high voltage onto the hollow cathode lamp 17 is composed of a high voltage-proof FET 15 and a photocoupler 12 of an LED / photodiode array coupling type. - 特許庁