マエ子の英語

電子デバイスのような基体からプラズマエッチングポリマー残渣を取り除く組織物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for removing the residue of a plasma etched polymer form a substrate such as an electronic device. - 特許庁

そして、前記原子１２が引き抜かれた部分の前記レジスト膜１１にプラズマエッチングを施し、更に前記レジスト膜１１が除去された部分の前記基板１０をプラズマエッチングする。例文帳に追加

The resist film 11 is subjected to plasma etching in the region, where the atom 12 is pulled out and then on the substrate 10 in the region where the resist film 11 is removed. - 特許庁

プラズマエッチングの終点検出方法及び装置、プラズマエッチング方法及び装置、並びに電気光学基板の製造方法、電気光学装置、電子機器例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR END POINT DETECTION OF PLASMA ETCHING, METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA ETCHING, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROOPTIC SUBSTRATE, ELECTRO-OPTICAL APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

分子中にフッ素原子を含むＳＦ_6ガスと、分子中に塩素原子を含むＨＣｌガスとの混合ガスを用いて半導体基板３の表面を、半導体基板３が接地されたプラズマエッチング装置１でプラズマエッチングしている。例文帳に追加

In this surface treatment, surface of a semiconductor substrate 3 is plasma etched with a plasma etching equipment in which the semiconductor substrate 3 is grounded, wherein a gas mixture comprising SF6 gas containing fluorine atoms in the molecule and HCl gas containing a chlorine atom in the molecule is used. - 特許庁

電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。例文帳に追加

The plasma etch cleaning of a substrate is carried out by using a plasma discharge device provided with an electron source cathode (5) and an anode device (7). - 特許庁

高速電子による有機膜の改質効果を十分に発揮することができるプラズマエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma etching method capable of achieving a sufficient organic film modifying effect by high-velocity electrons. - 特許庁

これらの組成物およびプロセスは、プラズマエッチングプロセスの後にポリマー性残滓を電子デバイスから除去するのに特に好適である。例文帳に追加

These composition and process are provided which are particularly suitable for the removal of polymeric residues from an electronic device after the plasma etching process. - 特許庁

この組成物は、プラズマエッチ工程に続いて電子デバイスからポリマー残留物を除去するために特に好適である。例文帳に追加

The compositions are particularly suitable for removing polymer residues from electronic devices following plasma etch processes. - 特許庁