「マエ子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

プラズマエッチングにおける影響を正確に検出する方法、およびその素子を提供する。例文帳に追加

To accurately detect the effect of a plasma in a plasma etching. - 特許庁

プラズマ処理方法、プラズマエッチング方法、固体撮像素子の製造方法例文帳に追加

PLASMA TREATMENT METHOD, PLASMA ETCHING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT - 特許庁

電子デバイスのような基体からプラズマエッチングポリマー残渣を取り除く組織物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for removing the residue of a plasma etched polymer form a substrate such as an electronic device. - 特許庁

そして、前記原子１２が引き抜かれた部分の前記レジスト膜１１にプラズマエッチングを施し、更に前記レジスト膜１１が除去された部分の前記基板１０をプラズマエッチングする。例文帳に追加

The resist film 11 is subjected to plasma etching in the region, where the atom 12 is pulled out and then on the substrate 10 in the region where the resist film 11 is removed. - 特許庁

プラズマエッチングの終点検出方法及び装置、プラズマエッチング方法及び装置、並びに電気光学基板の製造方法、電気光学装置、電子機器例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR END POINT DETECTION OF PLASMA ETCHING, METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA ETCHING, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROOPTIC SUBSTRATE, ELECTRO-OPTICAL APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

分子中にフッ素原子を含むＳＦ_6ガスと、分子中に塩素原子を含むＨＣｌガスとの混合ガスを用いて半導体基板３の表面を、半導体基板３が接地されたプラズマエッチング装置１でプラズマエッチングしている。例文帳に追加

In this surface treatment, surface of a semiconductor substrate 3 is plasma etched with a plasma etching equipment in which the semiconductor substrate 3 is grounded, wherein a gas mixture comprising SF6 gas containing fluorine atoms in the molecule and HCl gas containing a chlorine atom in the molecule is used. - 特許庁

電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。例文帳に追加

The plasma etch cleaning of a substrate is carried out by using a plasma discharge device provided with an electron source cathode (5) and an anode device (7). - 特許庁

高速電子による有機膜の改質効果を十分に発揮することができるプラズマエッチング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma etching method capable of achieving a sufficient organic film modifying effect by high-velocity electrons. - 特許庁

これらの組成物およびプロセスは、プラズマエッチングプロセスの後にポリマー性残滓を電子デバイスから除去するのに特に好適である。例文帳に追加

These composition and process are provided which are particularly suitable for the removal of polymeric residues from an electronic device after the plasma etching process. - 特許庁

この組成物は、プラズマエッチ工程に続いて電子デバイスからポリマー残留物を除去するために特に好適である。例文帳に追加

The compositions are particularly suitable for removing polymer residues from electronic devices following plasma etch processes. - 特許庁

本発明のカラー・フォトレジストの除去方法は所定の素子が形成された基板の上のカラー・フォトレジストを第１プラズマエシング工程でとり除く段階と；前記第１プラズマエシング工程の後、湿式クリーニングを行う段階と；及び前記湿式クリーニング後第２プラズマエシング工程で残留カラー・フォトレジストを完全にとり除く段階を含んで成り立つに技術的特徴がある。例文帳に追加

This color photoresist removal method includes steps for: removing the color photoresist on a substrate formed with given elements in the first plasma etching process; conducting wet cleaning after the first plasma etching process; and completely removing residual color photoresist in the second plasma etching process after the wet cleaning. - 特許庁

プラズマエッチング装置並びにそれを用いた光学素子成形用金型に用いる母型の製作方法、光学素子成形用金型、光学素子成形用金型の製作方法、光学素子の製作方法及び光学素子例文帳に追加

PLASMA ETCHING SYSTEM, METHOD OF PRODUCING MATRIX USED FOR DIE FOR FORMING OPTICAL ELEMENT USING THE SAME, DIE FOR FORMING OPTICAL ELEMENT, METHOD OF PRODUCING DIE FOR FORMING OPTICAL ELEMENT, METHOD OF PRODUCING OPTICAL ELEMENT, AND OPTICAL ELEMENT - 特許庁

裏面にセンサ素子が形成されたシリコン基板をプラズマエッチングにより加工する際、反応ガスやプラズマのシリコン基板裏面への回り込み、およびそれによるセンサ特性の悪化等を防止するプラズマエッチング治具を提供する。例文帳に追加

To provide a jig for plasma etching for preventing leakage of reaction gas or plasma to the rear surface of a silicon substrate at the time of matching the silicon substrate, having a sensor element formed on the rear surface by plasma etching. - 特許庁

プラズマエッチングをしても圧電振動素子搭載パッド間や集積回路素子搭載パッド間の短絡を防止する圧電デバイスを提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a piezoelectric device which prevents short-circuiting with a piezoelectric vibration element mounting pad or with an integrated circuit element mounting pad even when plasma etching is performed. - 特許庁

原料前駆体粒子をキャリアガス２により反応部へ導入し、前記反応部にてプラズマエネルギー、及び熱エネルギーをこの順に付与して粒子を製造する。例文帳に追加

The particles can be manufactured by introducing raw-material precursor particles into a reaction section by carrier gas 2 and applying, in the reaction section, plasma energy and thermal energy in this order. - 特許庁

ＤＬＣが成膜される過程で、磁性膜付のフィルム６表面に付着した微粒子をプラズマエネルギーにより素早く除去し、ＤＬＣ成膜終了時には微粒子が少ない状態で、保護膜が形成される。例文帳に追加

In the process of forming the DLC film, fine particles depositing on the surface of a film 6 having a magnetic film are instantly removed by plasma energy so that when the process of forming the DLC film is completed, a protective film is formed with little fine particles present. - 特許庁

プラズマエッチングなどの手法を用いて、格子状の初期レジストパターン２２を等方的にエッチングし、線幅が縮小された格子状レジストパターン２３を、さらに、プラズマエッチングをさらに進め、交点部にピラー形状のレジストパターン２４及び所望の寸法のピラー形状レジストパターン２５を形成する。例文帳に追加

The initial resist pattern 22 in the lattice shape is anisotropically etched by using a method for plasma etching etc., to form a lattice-shaped resist pattern 23 which is reduced in line width and further the plasma etching is carried on to form a resist pattern 24 in a pillar shape and a pillar-shaped resist pattern 25 of desired shape at an intersection part. - 特許庁

電極の一部を構成し、その内部に反応ガスを流通させることができるプラズマエッチング装置のガス吹き出し板であって、上記ガス吹き出し板は、その一主面に格子状の溝が形成され、上記溝の格子点又はその近傍に多数の貫通孔が設けられていることを特徴とするプラズマエッチング装置のガス吹き出し板。例文帳に追加

The gas blow-out plate of a plasma etching device constituting a part of electrode and capable of passing reaction gas internally has one major surface provided with lattice-like grooves and a large number of through holes are made at lattice points or in the vicinity thereof. - 特許庁

エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。例文帳に追加

Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted. - 特許庁

内部を観察するための観察窓１１を備えた真空チャンバ２内に発生させたプラズマを利用して、半導体基板５にプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチング装置１０１において、観察窓１１に帯電粒子が付着することを防止する電界発生装置１０２を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

A plasma etching apparatus 101 for plasma etching a semiconductor substrate 5 utilizing a plasma generated in the vacuum chamber 2 having an observation window 11 for observation of the interior of the chamber, comprises an electric field generating device 102 for preventing charged particles from being deposited on the observation window 11. - 特許庁

本発明は、透明電極の上面に形成された金属薄膜を有する試料を平行平板型プラズマエッチング装置のチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電極との間に高周波電圧を印加して前記金属薄膜をプラズマエッチングする補助電極の形成方法である。例文帳に追加

A specimen having a metallic thin film formed on the upper surface of the transparent electrode is disposed on a specimen stage in a chamber of a parallel flat plasma etching apparatus, a gas containing fluorine atom is introduced into the chamber, and applying a high frequency voltage between the specimen table, and an opposite electrode disposed to be faced to the specimen table so as to etch the metallic thin film with the plasma. - 特許庁

未硬化混合材の塗布前に、コンポジットのポリテトラフルオロエチレン部分の結合面をエッチング（化学的エッチング、電子-ビームエッチング、レーザーエッチング、又はプラズマエッチング）する。例文帳に追加

A bonding plane of a polytetrafluoroethylene part of the composite is etched (chemical etching, electron beam etching, laser etching, or plasma etching), before an uncured mixed material is coated thereto. - 特許庁

さらに、この上に形成したハードマスク層１０を、フッ素原子を含むガスを用いたプラズマエッチングによりエッチングしてハードマスク１０ａを形成する。例文帳に追加

Moreover, a hard mask 10a is formed by etching the hard mask layer 10 formed thereof with the plasma etching method using a gas including fluorine atoms. - 特許庁

図３（Ｉ）に示すその後の工程において、水素原子を含むガスによってプラズマエッチングを行うと、フッ素化合物５３ｂは、フッ化水素等の揮発性が高い化合物に転換されて除却される。例文帳に追加

When plasma etching is performed using hydrogen-atom containing gas as shown in Fig. 3 (I), the fluorine compound 53b is converted into a highly volatile compound such as hydrogen fluoride, and then removed. - 特許庁

電子デバイスの製造において好適に使用可能な、より選択性の高い（プラズマエネルギーが比較的に低い）プラズマを与えることができるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus which can be used suitably in fabrication of an electronic device and can provide plasma with higher selectivity (plasma energy is relatively low). - 特許庁

そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより半導体ウェハ１の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子１ｃ毎に分割する。例文帳に追加

The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c. - 特許庁

原子比で、ボロン：３〜１１ｐｐｂａを含有し、さらに燐および砒素の内の１種または２種の合計を０．５〜６ｐｐｂａを含有するシリコン単結晶からなる耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板。例文帳に追加

The silicon electrode plate superior in durability made of a silicon single crystal, containing 3 to 11 ppba of boron at atomic ratio, furthermore 0.5 to 6 ppba of the sum of one kind or two kinds between phosphorus and arsenic. - 特許庁

電極２を有する電子部品１を熱可塑性樹脂シート基材３に埋設した後、研磨加工あるいはプラズマエッチングにより、シート基材表面に電極２を露出させる。例文帳に追加

The method for manufacturing the electronic component mounted with components comprises the steps of embedding the electronic component 1 having electrodes 2 in a thermoplastic resin sheet base 3, and then exposing the electrode 2 to the surface of the sheet base by polishing or plasma etching. - 特許庁

本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method, a groove surrounding the semiconductor device is formed by carrying out plasma etching on the surface of the semiconductor substrate by using a plasma processing apparatus 1. - 特許庁

プラズマエッチング中にサンプルから削り取られて飛散する金属原子の一部はマスク部材５０の表面に付着して金属膜を形成するが、スリット５０３の部分は金属膜が形成されず空白領域となる。例文帳に追加

A part of the metal atoms ground from a sample during the plasma etching and scattered therearound is adhered to the surface of the mask member 50 to deposit the metal film, while no metal film is deposited on positions of the slits 503, and a blank area is formed. - 特許庁

次いで、端子部４１上の第１絶縁膜及び第２絶縁膜２８と補助容量上電極１８ｂ上の第２絶縁膜２８を同時にプラズマエッチングＰＥ法でエッチングしてコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

Then a first insulating film and second insulating film 28 on a terminal part 41, and the second insulating film 28 on the auxiliary capacitor upper electrode 18b are simultaneously etched by a plasma etching PE method to form a contact hole. - 特許庁

本発明のプラズマエッチング装置は、被処理基板７と平行な面内で、チャンバ１の内壁に電子の反跳作用を有する多極磁場を生成する磁場生成手段２０を備える。例文帳に追加

The plasma etching device is provided with a magnetic field producing means 20 for producing a multipole magnetic field having recoil effect of electron on the inner wall of a chamber 1 in a plane parallel to a substrate 7 to be processed. - 特許庁

研磨層１３の表面樹脂１５′は、プラズマエッチングにより、研磨材粒子１４が研磨層１３の表面から平均粒径の１／２０〜１／２だけ露出するように除去される。例文帳に追加

The surface resin 15' of the abrasive layer 13 is removed with plasma etching so that the abrasive grains 14 are exposed 1/20-1/2 of an average grain size from the surface of the abrasive layer 13. - 特許庁

素子分離のためのトレンチを形成するプラズマエッチング工程に要する時間を従来に比べて短縮することができ、スループットの向上による生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method or the like for a semiconductor device capable of making the time required for a plasma etching process forming a trench for an element isolation shorter than conventional devices, and capable of improving a productivity by enhancing a throughput. - 特許庁

記憶素子選択用のトランジスタ２を含む回路が形成された半導体基板１の上に層間絶縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４に対してＣＨＦ_3 を含むガス系をエッチングガスとするプラズマエッチング法でコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

An interlayer insulation film 4 is formed on a semiconductor substrate 1 where a transistor 2 for selecting a storage element is formed, and a contact hole is formed at the interlayer insulation film 4 by a plasma etching method with a gas system containing CHF_3 as an etching gas. - 特許庁

水晶板の製造工程では、水晶板素材７Ａを水晶振動子用の個片の水晶板７Ｂに分割し、まず機械研削により５０μｍ程度の厚みＴ１まで研削した後に、プラズマエッチング装置によって、１５μｍ程度の厚みＴ２まで薄化を行う。例文帳に追加

In a step for manufacturing the quartz plate, a quartz plate raw material 7A is divided into pieces of quartz plates 7B for quartz oscillator, and first, they are ground to a thickness T1 of about 50 μm by machine grinding, and then made thinner to a thickness T2 of about 15 μm with the plasma etching device. - 特許庁

一般式（１） （式中、Ｒ^1、Ｒ^2は水素原子もしくは特定の基、Ｒ^3は−Ｃ≡Ｃ−を含む特定の基を表す。）で表される繰り返し単位を有する含ケイ素樹脂または含ケイ素樹脂組成物あるいはそれらの硬化物からなること特徴とするプラズマエッチング装置用フォーカスリング。例文帳に追加

This focus ring for a plasma etching device is composed of a silicon-contained resin or a silicon-contained resin composite having a repetition unit represented by the following general formula (1), wherein R1, R2 are a hydrogen atom or a specific group and R3 is a specific group containing C≡C-) or a hardened material thereof. - 特許庁

水晶板７の製造工程では、水晶板素材７Ａを水晶振動子用の個片の水晶板７Ｂに分割し、まず機械研削により５０μｍ程度の厚みＴ１まで研削した後に、プラズマエッチング装置によって、１５μｍ程度の厚みＴ２まで薄化を行う。例文帳に追加

The method for manufacturing the crystal plate 7 comprises the steps of dividing a crystal plate material 7A into the crystal plates 7B of pieces for a crystal oscillator, and grinding the plate 7B to a thickness T1 of about 50 μm by mechanical grinding. - 特許庁

インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。例文帳に追加

A forming method of the inkjet print head includes steps of: attaching a plurality of piezoelectric elements 20 to diaphragms 36; supplying a dielectric filling layer on the diaphragms and the plurality of piezoelectric elements to seal the piezoelectric elements; curing the dielectric filling layer to form an aperture layer 50; and removing the aperture layer from an upper surface of the plurality of piezoelectric elements by plasma etching. - 特許庁

基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、プラズマ発光強度をモニターして、反応性ガスの導入量を制御するプラズマエミッションモニタリングによるスパッタリング法で、前記保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of an organic electroluminescent element for forming the protective film on the organic electroluminescent element formed on a substrate, the protective film is formed in the sputtering method by plasma emission monitoring for controlling the amount of introduction of reactive gas by monitoring plasma light emitting intensity. - 特許庁

研磨材粒子１４を樹脂バインダー１５で固定した研磨層１３を可撓性の基板シート１２の表面に形成した後、この研磨層１３の表面樹脂１５′をプラズマエッチングにより除去し、研磨層１２の表面から研磨材粒子１４の一部を露出させることによって製造される研磨シート１１。例文帳に追加

The abrasive sheet 11 is produced by forming the abrasive layer 13 in which the abrasive grains 14 are fixed with the resin binder 15, on the surface of a flexible substrate sheet 12 and then removing a surface region 15' of the abrasive layer 13 with plasma etching until parts of the abrasive grains 14 are exposed from the surface of the abrasive layer 12. - 特許庁

基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。例文帳に追加

The member for a semiconductor processing apparatus having corrosion resistance and plasma erosion resistance in combination is created by a base material, and a vapor phase precipitated vapor deposition film of a chemically stable amorphous carbon-hydrogen solid material containing 15 to 40at.% hydrogen formed on the surface of the base material, and by dispersively incorporating superfine particles of a metal oxide into the vapor phase precipitated vapor deposition film of the amorphous carbon-hydrogen solid material. - 特許庁

実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process. - 特許庁

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。例文帳に追加

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms. - 特許庁

実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element. - 特許庁