マスクロムの英語

マスクロムの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR MASK ROM - 特許庁

フラットセル構造のマスクロム製造方法例文帳に追加

MASK ROM-MANUFACTURING METHOD OF FLAT CELL STRUCTURE - 特許庁

ノア型マスクロム素子のセルアレイ領域及びその形成方法例文帳に追加

CELL ARRAY REGION OF NOR TYPE MASK ROM ELEMENT AND FORMATION METHOD - 特許庁

ノア型マスクロム素子のセルアレイ領域及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cell array region and the formation method of a NOR type mask ROM device. - 特許庁

ロジック工程で使用するデュアルゲート工程及びシリサイド工程をフラットセルタイプのマスクロムに適用できるマスクロムの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for mask ROM which can apply a dual-gate process and a silicide process used, in a logic process, to flat cell type mask ROM. - 特許庁

パターン密度差に起因する錬磨不均一を防止し、製造時間及び原価を節減することができるフラットセル構造のマスクロム製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a mask ROM-manufacturing method of a flat cell structure for preventing nonuniformity in wrought wear due to difference in pattern density, and for reducing manufacturing time and costs. - 特許庁

Ｍｏ_a Ｗ_b Ｖ_c Ａ_d Ｂ_e Ｏ_x （１）（上記式において、Ａは鉄、銅、ビスマス、クロム、錫、アンチモン、ニッケル、コバルト、マンガン、セリウム及びタリウムからなる群より選択された１種以上の元素、Ｂはアルカリ金属及びアルカリ土金属からなる群より選択された１種以上の元素である。）例文帳に追加

In the above formula, A represents one or more elements selected from the group consisting of iron, copper, bismuth, chromium, tin, antimony, nickel, cobalt, manganese, cerium and thallium; and B represents one or more elements selected from the group consisting of an alkaline metal and an alkaline-earth metal. - 特許庁