ランダム磁性の英語

磁性体のエッチング加工方法、磁気抵抗効果膜、および磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

METHOD FOR ETCHING PROCESSING OF MAGNETIC MATERIAL, MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、第１の磁性層、第１の界面磁性層、非磁性層、第２の界面磁性層、及び第２の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子を有する。例文帳に追加

A magnetic random access memory according to an embodiment has a magnetic resistance effect element, on which a first magnetic layer, a first interface magnetic layer, a non-magnetic layer, a second interface magnetic layer, and a second magnetic layer are sequentially laminated. - 特許庁

第一の磁性材料及び／又は非磁性材料を、第二の磁性材料中にランダムに分布させた磁性材料面を有する高いセキュリティを有する磁気カード。例文帳に追加

This high security magnetic card has a magnetic surface which has a first magnetic material and/or non-magnetic material randomly distributed in a second magnetic material. - 特許庁

磁気ランダムアクセスメモリは、記録層３０と固定層１０と記録層及び固定層間に設けられた中間非磁性層２０とを有する磁気抵抗素子１を備えた磁気ランダムアクセスメモリである。例文帳に追加

A magnetic random access memory is provided with a magnetic resistance element 1 having a recording layer 30, a fixed layer 10 and an intermediate non-magnetic layer 20 disposed between the recording layer and the fixed layer. - 特許庁

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造のために磁性材料をエッチングする改善された方法を提供する。例文帳に追加

To provide an improved method for etching magnetic materials for manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) device. - 特許庁

そして、接着剤層１０６に磁性体１０８が分散され、記録媒体１００中にランダムに配置された状態で含ませる。例文帳に追加

The magnetic substance 108 is dispersed into the adhesive layer 106 and contained in a randomly arranged state in the recording medium 100. - 特許庁

着磁した磁性砂利を平面または立体状に、周期的またはランダムに配置したことを特徴とする生物活性化装置。例文帳に追加

In this device for activating organisms, magnetized magnetic ballasts are arranged periodically or at random on a plane or in a 3D shape. - 特許庁