ランダム磁場の英語

また、増強電磁場形成層が、金属微粒子がランダムに配列されてなる構成とされていることが好ましい。例文帳に追加

It is also preferable that the enhanced electromagnetic field formation layer is configured by arraying metallic fine particles at random. - 特許庁

また、自己相似性を有する領域に磁性不純物の添加によりランダムな磁場を印加し、強い量子カオスを発生させ、状態密度縮退を起こさせる。例文帳に追加

In addition, a random magnetic field is applied to a region having self similarity by adding magnetic impurities, thereby generating strong quantum chaos and causing degeneracy of state density to result. - 特許庁

ランダムに配置する場合には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色マイクロカプセル１は、それぞれ内包する回転粒子５の回転しきい値が異なるよう構成され、印加する磁場の向きと大きさにより目的の色を表示する。例文帳に追加

When the microcapsules 1 are disposed at random, the microcapsules 1 of R, G, B are prepared to have different rotation thresholds for the respective encapsulated rotating particles 5 and the objective colors are displayed by controlling the direction and intensity of the magnetic field to be applied. - 特許庁

大部分の製造工程に高温プロセスを採用することができ、また、メモリセルの小型化が可能であり、さらに、直流のバイアス電流供給線路に効率的にインダクタンスを形成でき且つこのバイアス電流による磁場の影響を受けない、超高速で、大規模な、超伝導ランダムアクセスメモリのデバイス構造を提供する。例文帳に追加

To provide the device structure of a superconducting random access memory of ultra high speed and a large scale, of which the high temperature process can be employed for most of manufacturing processes, a memory cell can be miniaturized, an inductance can be efficiently formed on a DC bias current supply line, and a magnetic field is not affected by the bias current. - 特許庁

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。例文帳に追加

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write. - 特許庁

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。例文帳に追加

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows. - 特許庁

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線４２と、データ書き込みを行っている間、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段Ｉｓ２とを備える。例文帳に追加

The magnetic random access memory disclosed herein includes a magneto-resistance effect element MTJ, a write line 42 for providing a magnetic field for data write to the magneto-resistance effect element MTJ, and a means Is2 for increasing the temperature of the magneto-resistance effect element MTJ more than that of other magneto-resistance effect elements during the data write. - 特許庁