spontaneous magnetizationとは 意味・読み方・使い方

The fixed ferromagnetic layer 20 is bonded to the antiferromagnetic layer 5 and has fixed spontaneous magnetization.例文帳に追加

固定強磁性層２０は、反強磁性層５に接合され、固定される固定自発磁化を有する。 - 特許庁

To apply fine machining to a workpiece composed of a magnetic substance apt to form spontaneous magnetization.例文帳に追加

容易に自発磁化を形成するような磁性体よりなる被加工物（ワーク）の加工を良好に行なえるようにする。 - 特許庁

Furthermore, since the difference in spontaneous Hall voltage according to the magnetization states of the memory layers is large, the magnetic RAM has a high data-sensing margin.例文帳に追加

また、メモリ層の磁化状態による自発ホール電圧差が大きいので、高いデータセンシングマージンを有する。 - 特許庁

The magnetic resistance element 7 has spontaneous magnetization, the magnetization direction of which is inverted in accordance with data to be stored and is provided between a ground 24 and the drain of the first Tr 6.例文帳に追加

磁気抵抗素子７は、記憶されるデータに応じて磁化方向が反転される自発磁化を有し、接地２４と第１Ｔｒ６のドレインとの間に介設される。 - 特許庁

The memory cells 1 are formed at positions on the first signal lines 2 where the first and the second signal lines intersect with each other, and have spontaneous magnetization which reverses magnetization direction according to memorized data.例文帳に追加

メモリセル１は、第１信号線２上の第２信号線３と交差する位置に設けられ、記憶されるデータに応じて磁化方向が反転する自発磁化を有する。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

A first magnetic layer 4 is arranged on a substrate 2, and also there are provided a second magnetic layer 5 in which the maximum absolute magnetization is larger than the first magnetic layer 4 in a range from a room temperature to Curie temperature, and a metal layer 3 consisting of non-spontaneous magnetization metals.例文帳に追加

基板２上に第１磁性層４が設けられているとともに、室温からキュリー温度までの範囲において取り得る磁化の絶対値の最大値が、第１磁性層４よりも大きな第２磁性層５と、非自発磁化性の金属から成る金属層３とを備えている。 - 特許庁

This shim assembly includes a ferromagnetic material and a ferrimagnetic material for indicating an increase in the spontaneous magnetization in response to the temperature rise in the predetermined temperature width.例文帳に追加

このシム・アセンブリは強磁性材料と所定の温度幅において温度上昇に伴って自発磁化の増加を示すフェリ磁性材料とを含む。 - 特許庁