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意味・対訳 自発磁化
「spontaneous magnetization」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 27件
spontaneous magnetization発音を聞く 例文帳に追加
外部磁界によらずに形成される磁化 - EDR日英対訳辞書
MRAM MEMORY CELL AND METHOD FOR ACCELERATING INVERSION OF SPONTANEOUS MAGNETIZATION例文帳に追加
MRAMメモリセル及び自発磁化反転促進方法 - 特許庁
METHOD OF EVALUATING HARDENING RANGE OF IRON AND STEEL MATERIAL BY SPONTANEOUS MAGNETIZATION例文帳に追加
自発磁化により鉄鋼材料の焼入れ範囲を評価する方法 - 特許庁
Then, the spontaneous magnetization of the material is monitored on occasions in the actual use of the material to compare the intensity of the spontaneous magnetization with the correlation between the number of repetitions of the stress loading and the spontaneous magnetization, thereby evaluating the useful life of the material to prevent fatigue failure of the material from occurring.例文帳に追加
次いで、前記材料の実際の使用において、前記材料の自発磁化を随時モニターし、その自発磁化の大きさを前記応力負荷の繰り返し数と前記自発磁化との前記相関と比較することにより、前記材料の寿命を評価し、前記材料の疲労破壊を未然に防止する。 - 特許庁
An intermediate layer 103 consisting of a substance not having spontaneous magnetization is arranged on the magnetic layer 102.例文帳に追加
磁性層102上に自発磁化を有さない物質から成る中間層103を配する。 - 特許庁
Then, correlation between the number of repetitions of stress loading and the spontaneous magnetization is derived on the material.例文帳に追加
次いで、前記材料の、前記応力負荷の繰り返し数と前記自発磁化との相関を導出する。 - 特許庁
The free ferromagnetic layer 21 is bonded to the tunnel insulating layer 9 and has reversible free spontaneous magnetization.例文帳に追加
自由強磁性層21は、トンネル絶縁層9に接合され、反転可能な自由自発磁化を有する。 - 特許庁
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「spontaneous magnetization」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 27件
The fixed ferromagnetic layer 20 is bonded to the antiferromagnetic layer 5 and has fixed spontaneous magnetization.例文帳に追加
固定強磁性層20は、反強磁性層5に接合され、固定される固定自発磁化を有する。 - 特許庁
To apply fine machining to a workpiece composed of a magnetic substance apt to form spontaneous magnetization.例文帳に追加
容易に自発磁化を形成するような磁性体よりなる被加工物(ワーク)の加工を良好に行なえるようにする。 - 特許庁
Furthermore, since the difference in spontaneous Hall voltage according to the magnetization states of the memory layers is large, the magnetic RAM has a high data-sensing margin.例文帳に追加
また、メモリ層の磁化状態による自発ホール電圧差が大きいので、高いデータセンシングマージンを有する。 - 特許庁
The magnetic resistance element 7 has spontaneous magnetization, the magnetization direction of which is inverted in accordance with data to be stored and is provided between a ground 24 and the drain of the first Tr 6.例文帳に追加
磁気抵抗素子7は、記憶されるデータに応じて磁化方向が反転される自発磁化を有し、接地24と第1Tr6のドレインとの間に介設される。 - 特許庁
The memory cells 1 are formed at positions on the first signal lines 2 where the first and the second signal lines intersect with each other, and have spontaneous magnetization which reverses magnetization direction according to memorized data.例文帳に追加
メモリセル1は、第1信号線2上の第2信号線3と交差する位置に設けられ、記憶されるデータに応じて磁化方向が反転する自発磁化を有する。 - 特許庁
This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加
本発明による磁気ランダムアクセスメモリは,基板(1)と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層(8)を含み,自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し,且つ,前記基板(1)の上方に形成された磁気抵抗素子(5)と,磁気抵抗素子(5)に印加される磁場を発生する電流を流すための配線(11)とを備えている。 - 特許庁
A first magnetic layer 4 is arranged on a substrate 2, and also there are provided a second magnetic layer 5 in which the maximum absolute magnetization is larger than the first magnetic layer 4 in a range from a room temperature to Curie temperature, and a metal layer 3 consisting of non-spontaneous magnetization metals.例文帳に追加
基板2上に第1磁性層4が設けられているとともに、室温からキュリー温度までの範囲において取り得る磁化の絶対値の最大値が、第1磁性層4よりも大きな第2磁性層5と、非自発磁化性の金属から成る金属層3とを備えている。 - 特許庁
This shim assembly includes a ferromagnetic material and a ferrimagnetic material for indicating an increase in the spontaneous magnetization in response to the temperature rise in the predetermined temperature width.例文帳に追加
このシム・アセンブリは強磁性材料と所定の温度幅において温度上昇に伴って自発磁化の増加を示すフェリ磁性材料とを含む。 - 特許庁
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