二次元ポテンシャルの英語

化学的な量の大きさに対応して深さを変化するように構成されたポテンシャル井戸６を複数個二次元的に配置し、これらのポテンシャル井戸６に電荷を注入して、前記化学的な量をこのポテンシャル井戸の大きさに応じた電荷に変換するように構成された化学ＣＣＤ１のセンサ面６ａ上に分子認識層２１を形成した。例文帳に追加

A plurality of potential wells 6 formed so that their depths vary with the magnitude of a chemical quantity are two-dimensionally arranged, electric charge is injected into the potential wells 6 so that the chemical quantity is converted to an electric charge corresponding to the size of the potential well, and a molecule recognition layer 21 is formed on a sensor surface 6a of a chemical CCD 1. - 特許庁

ｐＨの大きさに応じて深さが変化するポテンシャル井戸２９を有し、このポテンシャル井戸２９に注入された電荷３１をそのときのポテンシャル井戸２９の大きさに応じた電荷に変換する複数の微小なｐＨセンサ６を半導体基板１７の表面に二次元的に配置するとともに、前記電荷を転送するＣＣＤ電荷転送部１２を前記複数のｐＨセンサ６に対応するように設けている。例文帳に追加

A plurality of fine pH sensors having potential wells 29 changed in depth corresponding to the magnitude of pH and converting the charge injected in the potential wells 29 into the charges corresponding to the sizes of the potential wells 29 at that time are two-dimensionally arranged on the surface of a semiconductor substrate 17 and CCD charge transfer parts 12 are provided corresponding to a plurality of the pH sensors. - 特許庁

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。例文帳に追加

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5. - 特許庁

強誘電体多層構造に関し、〔１１１〕配向した強誘電体膜に〔１１１〕軸と垂直な二次元応力を印加し、ポテンシャルに及ぶ影響を理論的に考察した結果を基にして耐熱性に優れた強誘電体多層構造を実現し、ＦｅＲＡＭの昇温に起因する記憶情報消失を抑止しようとする。例文帳に追加

To realize a ferroelectric multilayer structure having excellent heat resistance based on the theoretical consideration about the effect on potential, when two-dimensional load of the [111] axis and the vertical axis is loaded on the [111] oriented ferroelectric membrane and to inhibit the memorized information from vanishing due to the temperature rise of an FeRAM. - 特許庁