伝導バンドの英語

伝導帯のバンドオフセットが大きな量子井戸を持った光半導体素子を実現する。例文帳に追加

To achieve an optical semiconductor element having a quantum well, where a band offset of a conduction band is large. - 特許庁

中心周波数ｆ_1 と通過帯域幅ｂ_1 とを有する超伝導バンドパスフィルタ１３と、中心周波数ｆ_2 と通過帯域幅ｂ_2 とを有する超伝導バンドパスフィルタ１６とを備える。例文帳に追加

The superconducting bandpass filter circuit is equipped with a superconducting bandpass filter 13 having a central frequency f_1 and a pass-band width b_1 and a superconducting bandpass filter 16 having a central frequency f_2 and a pass-band width b_2. - 特許庁

バンド間位相差の２πの周期で変動するポテンシャルと、π以下で変動するポテンシャルを拮抗せしめ、それによって、多バンド超伝導体の中に、時間対称性の破れを生じさせ、ドメイン壁の薄いドメイン構造を有する多バンド超伝導体を実現する。例文帳に追加

This multiband superconductor having the domain structure with the thin domain wall is provided by making a potential fluctuated at a period of 2π of an interband phase difference compete with a potential fluctuated at a period of π or less, and by generating thereby breakage of time symmetry in the multiband superconductor. - 特許庁

吸収層１２は、価電子帯と伝導帯との間に第１のバンドギャップを有するウェル層と、価電子帯と伝導帯との間に、前記第１のバンドギャップに比して大きく、かつ、０．９４６ｅＶ以下の第２のバンドギャップを有するバリア層とを備える。例文帳に追加

The absorption layer 12 is provided with a well layer having a 1st band gap between a valence electron band and a conductive band and a barrier layer having a 2nd band gap larger than the 1st band gap and not more than 0.946 eV between the valence electron band and the conductive band. - 特許庁

本発明によれば、伝導性フィルムを酸溶液で浸漬法またはスプレー法によって酸化させる後処理を施すことにより、伝導性高分子のバンドギャップが小さくなり、伝導性フィルムの透過率および電気伝導度が向上する。例文帳に追加

The conductive film is subjected to the post-treatment for oxidizing the conductive film with the acid solution by a dipping method or a spray method, whereby a band gap of a conductive polymer is reduced and the transmittance and electric conductivity of the conductive film is improved. - 特許庁

赤外光９によるサブバンド間遷移が禁止され、かつ電極層の伝導電子密度も低いので、赤外光吸収が小さい。例文帳に追加

Transition between the sub-bands by the infrared light 9 is inhibited and the conductive electron density of the electrode layers is low, so the infrared light absorption is small. - 特許庁

電気伝導線１は、複数本の単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）３を、隙間５を設けた状態でバンドルした構造を有している。例文帳に追加

This electric conduction wire 1 has a structure wherein a plurality of single-wall carbon nanotubes (SWCNT) 3 are bundled with spaces 5 formed. - 特許庁

電気伝導性が良く、バンドギャップもＩｎＡｓより大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a III-V compound semiconductor polycrystalline thin film of excellent electric conductivity and a band gap larger than InAs. - 特許庁