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化合物半導体表面の英語
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「化合物半導体表面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 472件
化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハ例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, SURFACE TREATMENT METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁
Ｔｅ系化合物半導体結晶の表面処理方法およびＴｅ系化合物半導体結晶例文帳に追加
METHOD FOR TREATING SURFACE OF Te BASE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND Te BASE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁
化合物半導体の表面清浄化方法および化合物半導体用熱処理装置。例文帳に追加
METHOD FOR CLEANING SURFACE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND HEAT TREATMENT APPARATUS FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁
化合物半導体基板の表面に存在する酸素を低減する化合物半導体基板の研磨方法、化合物半導体基板、化合物半導体エピ基板の製造方法および化合物半導体エピ基板を提供する。例文帳に追加
To provide the method of polishing a compound semiconductor substrate in which oxygen on the surface of the compound semiconductor substrate is reduced, the compound semiconductor substrate, the method of manufacturing a compound semiconductor epi-substrate, and the compound semiconductor epi-substrate. - 特許庁
化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子例文帳に追加
STABILIZATION OF SURFACE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR LASER DEVICE USING THE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE SUCH AS SEMICONDUCTOR LASER DEVICE - 特許庁
ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加
SURFACE TREATMENT METHOD OF ZnTe BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
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「化合物半導体表面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 472件
化合物半導体層の表面処理方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR TREATING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER SURFACE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
コストを低減するとともに、化合物半導体基板の表面の不純物量を減少できる化合物半導体の検査方法、化合物半導体基板、化合物半導体の表面処理方法、および化合物半導体結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for inspecting a compound semiconductor reducing a cost while decreasing the quantity of impurities on the surface of a compound semiconductor substrate, the compound semiconductor substrate, the method for surface-treating the compound semiconductor, and a manufacturing method for a compound semiconductor crystal. - 特許庁
化合物半導体基板の検査方法、化合物半導体基板、化合物半導体基板の表面処理方法、および化合物半導体結晶の製造方法例文帳に追加
COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR INSPECTING THE SAME, METHOD FOR SURFACE-TREATING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁
化合物半導体からなる基板の表面の不純物濃度を低減して、基板上に形成される層の不純物濃度を低減する化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハを提供する。例文帳に追加
To provide a surface treatment method of a compound semiconductor substrate which reduces a concentration of an impurity of surface of the substrate composed of a compound semiconductor to reduce a concentration of impurity of a layer formed on the substrate, to provide a compound semiconductor manufacturing method, to provide a compound semiconductor substrate, and to provide a semiconductor wafer. - 特許庁
化合物半導体ウェハ表面の有機汚染モニタリング方法例文帳に追加
METHOD FOR MONITORING ORGANIC CONTAMINATION ON SURFACE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁
ＺｎＯ系化合物半導体結晶の表面欠陥の検出方法例文帳に追加
METHOD FOR DETECTING SURFACE DEFECTS OF ZnO-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁
主表面上に、ＺｎＯ系化合物半導体結晶を成長させる。例文帳に追加
The ZnO compound semiconductor crystal is grown on the main surface. - 特許庁
表面部１０５上にIII-V族の化合物半導体層１０６を成膜する。例文帳に追加
A III-V compound semiconductor layer 106 is formed on the surface part 105. - 特許庁
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