化学エッチング技術の英語

本技術は、電気めっき、無電解めっき、又は平滑化若しくはエッチングのような他の湿式化学技術に利用出来る。例文帳に追加

The technique is utilized for electroplating, electroless plating or other wet type chemical technique such as smoothing or etching. - 特許庁

フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。例文帳に追加

A Fresnel lens or a holographic diffuser may be formed on a surface by wet chemical etching or dry etching techniques in conjunction with a lithographic technique. - 特許庁

前記支持体上へのピット又は溝の形成には、好ましくは機械的、化学的、（レーザ）光学的、電気的及びフォトエッチング技術からなる群から選択される技術が適用される。例文帳に追加

A technique selected from a group comprising mechanical, chemical, (laser) optical, electric and photo-etching techniques is preferably applied for forming the pit or the groove on the support. - 特許庁

主にプラズマ技術を利用して微小穴のエッチングを行い、且つプラズマエッチングした後、化学溶液を利用してプラズマで除去できないプリントボード１０のその他の材料（例えば、ガラス繊維）をエッチングさせ、迅速且つ低コストで行うことができるプリントボードの微小穴の形成方法である。例文帳に追加

By this forming method, the fine hole can be formed in the printed board speedily at a low cost by etching other materials (e.g. glass fibers) of the printed board 10 which can not be removed with plasma by using a chemical solution after etching for the fine hole is carried out by mainly using plasma technology and plasma etching is performed. - 特許庁

ファイバ格子に基づくが、ファイバクラッディングをエッチングすること又はファイバ格子の形状を機械的に変形することを必要としない融通性に優れた化学物質感知技術を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical substance sensing technique based on a fiber grating and superior in flexibility, without requiring to etch the fiber cladding or to mechanically deform the fiber grating. - 特許庁

電気化学ストップエッチングを用いて空洞を形成するとともに成膜にて空洞を密閉構造とする技術として実用性の高いものとする。例文帳に追加

To improve practicality by using electrochemical stop etching for forming a cavity and at the same time for forming a cavity in closed structure by film formation. - 特許庁

本発明は超小型構造の分野に関し、詳細には湿式化学エッチングによる微細加工、具体的にはＫＯＨによる微細加工を受ける予定の半導体基板上にＣＭＯＳ技術を介して形成された超小型構造に関する。例文帳に追加

To provide a microminiature structure that is formed on a semiconductor substrate on which fine working to be concrete by KOH circumstantially by wet chemical etching, is performed, by a CMOS technique in a field of microminiature structures. - 特許庁