単一ウエハの英語

このような現場での検知は研磨中のウエハに対する損傷を最小とさせ且つ損傷を一連のウエハではなく単一のウエハに制限する。例文帳に追加

Such detection in the site minimizes the damage to the wafer at polishing and restricts the damage to a single wafer, not a series of the wafers. - 特許庁

単一のウエハから厚みの異なる複数の素子を製造する。例文帳に追加

To manufacture a plurality of elements with different thicknesses from a single wafer. - 特許庁

垂直にスタックされた処理チャンバーおよび単一軸二重ウエハー搬送システムを備えた半導体ウエハー処理システム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM EQUIPPED WITH VERTICALLY-STACKED PROCESSING CHAMBER AND SINGLE-SHAFT DOUBLE-WAFER CARRIER SYSTEM - 特許庁

配管の一対のフランジ間を単一のガスケットでシールできるウエハー型逆止弁を提供する。例文帳に追加

To seal between a pair of flanges of pipes with a single gasket. - 特許庁

高速熱処理（ＲＴＰ）反応炉３００は、単一の若しくは２個の熱源３１０を用い、複数のウエハ３１１、３１２若しくは１枚の大型のウエハを処理する。例文帳に追加

A rapid thermal processing (RTP) reactor 300 uses one or two heat sources 310 to process multiple wafers 311 and 312 or a single large wafer. - 特許庁

一以上の処理プロセスを組合わせてシリコンウエハーを再生する際に、該再生時におけるＣｕ汚染箇所を特定する方法であって、 モニターウエハーとして、Ｐ型シリコンウエハー、若しくはＰ型シリコンウエハー及びＮ型シリコンウエハーを使用し、前記再生時における単一若しくは連続する複数の処理プロセスの前後で、前記モニターウエハーの電気抵抗を検知する検知操作を、当該再生工程で、少なくとも一回実施することを特徴とするＣｕ汚染箇所の特定方法である。例文帳に追加

The method for specifying the Cu contaminated position when reproducing the silicon wafer in combination of one or more treatment processes uses a P-type silicon wafer or a P-type silicon wafer and a N-type silicon wafer as a monitoring wafer to perform at least one detecting operation in the reproducing processes for detecting the electric resistance of the monitoring wafer before and after the plurality of single or consecutive treatment processes during reproduction. - 特許庁

配管の一対のフランジ間を単一のガスケットでシールできるウエハー型オリフィストラップを提供する。例文帳に追加

To provide a wafer type orifice trap sealing between a pair of flanges of pipes by means of a single gasket. - 特許庁