単結晶グラファイトの英語

正極及び負極におけるマグネシウムイオンの吸蔵・放出によって作動するマグネシウムイオン二次電池に用いる負極活物質において、炭素原子の結晶格子で形成された板状のグラファイト単原子層１１、１２を有するグラファイトで形成し、相隣るグラファイト単原子層１１、１２の間にマグネシウムイオン１３、１４を立体的に配置可能とする。例文帳に追加

A negative electrode active material for a magnesium ion secondary battery which operates by absorption and desorption of magnesium ions at a positive electrode and a negative electrode, contains graphite having plate-like graphite monoatomic layers 11 and 12 composed of a crystal lattice of carbon atoms, and magnesium ions 13 and 14 can be disposed between the adjacent graphite monoatomic layers 11 and 12 in three dimensions. - 特許庁

非単結晶であるグラファイト基板をＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として使用し、結晶中の欠陥が少ない単結晶ＧａＮ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal GaN thin film reduced in defective in a crystal by using a graphite substrate having a non-single crystal as a substrate for forming a nitride semiconductor thin film such as GaN. - 特許庁

また、この半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板の所定の面の、少なくとも最表面のＳｉを蒸発させて、前記ＳｉＣ単結晶基板とグラファイト層との積層を形成する工程と、前記グラファイト層上に六方晶窒化ホウ素単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法により製造することができる。例文帳に追加

Further, this semiconductor lamination can be manufactured by the manufacturing method comprising the steps of forming the lamination of the SiC single crystal substrate and the graphite layer, by evaporating the Si in at least the uppermost surface of a predetermined surface of the SiC single crystal substrate, and hetero-epitaxially growing the hexagonal boron nitride single crystal film on the graphite layer. - 特許庁

（２）上記カーボン基材３０及び被覆したパイロリティックカーボン、パイロリティックグラファイト、ガラス状カーボンの熱膨張率が、成長する化合物半導体単結晶の熱膨張率より小さい。例文帳に追加

(2) The respective coefficients of thermal expansion of the carbon base material 30, and of the coated pyrolytic carbon, pyrolytic graphite and glassy carbon are lower than that of the compound semiconductor single crystal to be grown. - 特許庁

石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ１０の内部で、ゲルマニウム融液１ａの表面の一部または全体を酸化ホウ素（B_2O_3）融液２ａで覆った後、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりゲルマニウム単結晶４を引き上げて結晶成長させる。例文帳に追加

After the surface of a germanium melt 1a is partially or wholly covered with a melt 2a of boron oxide (B_2O_3) inside a crucible 10 made of quartz, glassy carbon or graphite, a germanium single crystal 4 is pulled and grown by Czochralski method (CZ method). - 特許庁

グラファイト基板２２中の炭素が溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に溶解し、溶解した炭素と溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２中のＳｉとが化合したＳｉＣがＳｉＣ種結晶２１を基に析出することにより、ＳｉＣ単結晶成長層１３が成長する。例文帳に追加

Carbon in the graphite substrate 22 is melted into the molten Fe-Si alloy 12, and SiC to which the molten carbon and Si in the molten Fe-Si alloy 12 combine deposits on the basis of the SiC seed crystal 21, whereby a SiC single crystal growth layer 13 grows. - 特許庁

耐圧容器９内に配置したＰＢＮルツボ７内のＧａＡｓ融液６から、引上軸１により単結晶を引き上げる化合物半導体単結晶の製造装置において、上記引上軸１にグラファイト製傘１０を取り付け、ＧａＡｓ融液６からの輻射を遮断し、炉体上部を効率よく冷やす構造とする。例文帳に追加

In the apparatus for manufacturing the compound semiconductor single crystal by pulling the single crystal from a GaAs melt 6 in a PBN crucible 7 arranged in a pressure-resistant container 9 with a pulling shaft 1, the structure capable of efficiently cooling the upper part of the furnace is formed by attaching a graphite umbrella 10 to the pulling shaft 1, so as to shield radiation from the GaAs melt 6. - 特許庁

硫化カドミウム粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物をグラファイト製の坩堝に入れ、窒素ガス等の不活性ガス気流中において、１１００〜１２００℃で３〜５時間加熱することにより、六方晶系の単結晶からなる硫化カドミウムナノチューブを形成する。例文帳に追加

Cadmium sulfide nanotubes comprising a hexagonal single crystal are formed by charging a mixture of cadmium sulfide powder, tin monoxide powder, tin dioxide powder and activated carbon powder into a graphite crucible and heating the mixture at 1,100-1,200°C for 3-5 h in a stream of an inert gas such as nitrogen gas. - 特許庁