変調半導体構造の英語

例えば、半導体光変調器１００は、入力光１０１を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器１０２と、この半導体位相変調器１０２によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器１０３とを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。例文帳に追加

A semiconductor optical modulator 100 has a structure in which a semiconductor phase modulator 102 for generating a sideband by modulating an input light 101 and a semiconductor optical amplifier 103 for equalizing the intensity of the sideband generated by the semiconductor phase modulator 102 are monolithically integrated on the same semiconductor substrate. - 特許庁

多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。例文帳に追加

To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently. - 特許庁

半導体基板にレーザ光を出射する光源部と前記レーザ光を変調する変調器部とを集積した半導体レーザ素子において、前記レーザ光の光出力を調整するアッテネータ部を前記光源部と同様の層構造で半導体基板に形成する。例文帳に追加

The semiconductor laser element comprises a light source for emitting a laser beam and a modulator for modulating the beam and integrated with the light source on a semiconductor substrate, so that the attenuator for regulating the optical output of the beam is formed in a similar layer structure to the light source on the substrate. - 特許庁

非磁性半導体層からなる量子井戸構造と、該構造の障壁層に近接、又は、隣接して、バンドギャップの小さい磁性半導体層を備えることを特徴とするｐ−ｉ−ｎ型円偏光変調発光半導体素子。例文帳に追加

The p-i-n-type circularly polarized light modulating light emitting semiconductor element is equipped with a quantum well structure formed of a non-magnetic semiconductor layer, and a magnetic semiconductor layer which has a small band gap and is provided adjacent or adjoining to the barrier layer of the quantum well structure. - 特許庁

光変調器の安定動作を可能とするｎｉｎ型へテロ構造を有する半導体光電子導波路を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor optoelectronic waveguide with an nin type heterostructure performing stable operation of an optical modulator. - 特許庁

導波路構造が機械的損傷を被ることを防止できる半導体光変調器及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical modulator of which the waveguide structure is prevented from being mechanically damaged and a method for manufacturing the same. - 特許庁

半導体光導波路の構造とこれを利用した光増幅器、光変調器、光発振器、光集積回路例文帳に追加

STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR OPTICAL WAVEGUIDE, AND OPTICAL AMPLIFIER, OPTICAL MODULATOR, OPTICAL OSCILLATOR AND OPTICAL INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME - 特許庁

良好なレーザ特性と変調器特性とを有する半導体光集積素子を容易に得られる構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a structure which can easily obtain a semiconductor optical integrated element with proper laser characteristics and modulator characteristics. - 特許庁