modulated semiconductor structureとは 意味・読み方・使い方

ANALYTIC METHOD FOR COMPOSITION MODULATED STRUCTURE OF MIXED CRYSTAL SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

混晶半導体膜の組成変調構造解析法 - 特許庁

To provide a semiconductor structure for reducing the influence of impurity due to a modulated dope structure, and to freely and widely change electron density in the same semiconductor structure.例文帳に追加

変調ドープ構造による不純物の影響を少なくする構造を提供し、電子密度を同じ半導体構造で自由に広範囲に変えることを可能にすること。 - 特許庁

To provide a pulse light source which has a MOPA structure using a directly-modulated semiconductor laser as a seed light source and is capable of easily outputting pulse light with a sub-nanosecond pulse width.例文帳に追加

直接変調された半導体レーザを種光源として使用したＭＯＰＡ構造のパルス光源であって、サブナノ秒のパルス幅を有するパルス光を容易に出力することができるパルス光源を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve the adhesion and durability of the film stacks during subsequent elevated temperature processing in a method for forming modulated tantalum/tantalum nitride diffusion barrier stacks on semiconductor device substrate used in interconnect structure.例文帳に追加

配線構造に使用される半導体デバイスの基板上に、調節されたタンタル／窒化タンタルの拡散障壁の積み重ねを形成する方法において、後の高温の加工中における膜の積み重ねの付着性及び耐久性を改善する。 - 特許庁

To provide a method of amplifying a luminescent bandwidth of a semiconductor photoelectric element for manufacturing a multiplex quantum well structure, by which preferred temperature characteristics and modulation characteristics can be obtained, when applied to a semiconductor photoelectric element, and the width to be modulated and an amplitude gain can be widened significantly more than those of the semiconductor laser elements of the same kind, when being applied to a semiconductor laser whose wavelength is adjustable.例文帳に追加

半導体光電素子に応用した場合、好ましい温度特性と変調特性を具えさせ、更に波長が調整可能な半導体レーザに応用した場合、同類の半導体レーザ素子に比して変調できる幅と振幅利得を極めて広くする多重量子井戸構造を製造するための半導体素子の発光帯域幅の増幅方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element using the nitride system group III-V compound semiconductor having a structure in which an active layer having one or a plurality of well layers are sandwiched between a p-type clad layer and an n-type clad layer, the composition of at least one of the well layer of the active layer is modulated in a direction perpendicular to this well layer.例文帳に追加

ｐ側クラッド層とｎ側クラッド層との間に一つまたは複数の井戸層を有する活性層が挟まれた構造を有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、活性層の少なくとも一つの井戸層の組成をこの井戸層に垂直な方向に変調する。 - 特許庁

The semiconductor optical delay interferometer has a semiconductor wave guide layer structure laminated and grown on a semiconductor substrate and is provided with a connection waveguide for guiding one branched light and a delay waveguide which guides the other branched light and has a path length longer than that of the connection waveguide by a delay length corresponding to one time slot of incident light being differentially phase-modulated light.例文帳に追加

半導体光遅延干渉器は、半導体基板上に積層成長された半導体導波層構造を有し、分波光の一方を導波する接続導波路と、分波光の他方を導波し、差動位相変調光である入射光の１タイムスロットに相当する遅延長だけ接続導波路よりも長い経路長を有する遅延導波路とを備える。 - 特許庁