多量子井戸レーザの英語

カスケードレーザ素子は、ポテンシャル障壁41、143、151と量子井戸142、144とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段を有する。例文帳に追加

A cascade laser device is provided with: a multi-layer film structure including a multiple quantum well including potential barriers 41, 143 and 151 and quantum wells 142 and 144 and an electric field application means for applying an electric field to the multi-layer film structure. - 特許庁

そして、これらの安定な酸化物に挟まれたＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸層２０５、つまりＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸層２０５の光出射端面近傍２０５ａは、組織が無秩序で、且つ、レーザ光を透過する。例文帳に追加

The vicinity 205a of light exit edge of an InGaAlP multiple quantum well layer 205 sandwiched by these stable oxides has a disordered tissue and transmits laser beam. - 特許庁

多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。例文帳に追加

To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently. - 特許庁

半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられたＳＣＨ層４２，４４，５０，５２を備えている。例文帳に追加

A semiconductor laser device 100 is provided with an active layer 45 having a multiple quantum well structure, and SCH layers 42, 44, 50, and 52 that are formed above and under it. - 特許庁

当該リングレーザシステム３００では、多重量子井戸１１２内部で形成された光子は、外側構造体１１６、多重量子井戸１１２及び光コア１１０を含んで成るリングレーザ構造内部で循環し、外側構造体１１６に付着した不連続部１１４から出射する。例文帳に追加

In the ring laser system 300, photons generated in the inside of the multiple quantum well 112 are circulated within a ring laser structure, including the outside structure 116, the multiple quantum well 112, and the optical core 110, then limitted from a noncontinuous portion 114 attached to the outside structure 116. - 特許庁

本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。例文帳に追加

This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer. - 特許庁

半導体レーザ素子の発光層は、光ガイド層４ｃ上に、障壁層４ａおよび井戸層４ｂが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。例文帳に追加

A light emitting layer of the semiconductor laser element has a multi-quantum well structure made up of a barrier layer 4a and a well layer 4b laminated alternately. - 特許庁

電界印加時の多重量子井戸構造部の井戸層からの電子のリークを抑制し、高電界下にわたって大きな屈折率変化を得ることの可能な面発光レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a surface-emitting laser element which can suppress leakage of electrons in the well layer of a multi-quantum structural part, when electric field is applied and obtain large refractive index variations in a high electric field. - 特許庁