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応力効果の英語
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英訳・英語 stress effect
「応力効果」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 431件
応力状態は、Mullins効果および歪み硬化効果を含んでおり、また弾性応力、粘弾性応力および背応力を有している。例文帳に追加
The stress state includes Mullins effects and distortion hardening effects, and has an elastic stress, a viscoelastic stress and a back stress. - 特許庁
電界効果型トランジスタにおける応力の生成例文帳に追加
電気光学効果素子及びその製造方法に関し、圧電効果に伴う内部応力及び成膜時の残留応力を低減する。例文帳に追加
To reduce the internal stress accompanying a piezoelectric effect and the residual stress in deposition relating to an electro-optic effect element and a method for manufacturing the same. - 特許庁
熱応力および機械的応力を効果的に低減させるベーンを提供する。例文帳に追加
To provide a vane effectively reducing thermal stress and mechanical stress. - 特許庁
応力チャネルを有する電界効果トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加
FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET) HAVING STRESS CHANNEL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
応力インピーダンス効果素子の製造方法及びその素子例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF STRESS IMPEDANCE EFFECT ELEMENT AND ELEMENT - 特許庁
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「応力効果」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 431件
これによって、応力を緩和しつつ、水分の侵入を効果的に防止する。例文帳に追加
While stress is relaxed, infiltration of moisture is effectively prevented. - 特許庁
熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造例文帳に追加
WAFER CUT LINE FORMATION STRUCTURE FOR SUPPRESSING THERMAL STRESS EFFECT - 特許庁
シャロー・トレンチ・アイソレーションの応力効果および光学的近接効果を相殺することによって半導体デバイスを製造する方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY COMPENSATING STRESS EFFECT AND OPTICAL PROXIMITY EFFECT OF SHALLOW TRENCH ISOLATION - 特許庁
また、硬化時の収縮による応力を緩和する効果も有しており、被塗物の湾曲も発生しないという効果を有する。例文帳に追加
The resin having the amino group has effects on the relaxation of a stress by shrinkage during curing and further effects of causing no curvature of a material to be coated. - 特許庁
この圧縮応力により光弾性効果で導波路の屈折率が下がり、熱光学効果による屈折率の上昇をキャンセルできる。例文帳に追加
A refractive index of the waveguide is lowered with a photoelastic effect by the compressive stress to cancel the increase of a refractive index caused by a thermooptical effect. - 特許庁
nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。例文帳に追加
In a semiconductor device having an n-channel field effect transistor 10 and a p-channel field effect transistor 30, as a stress control film 19 covering a gate electrode 15 of the n-channel field effect transistor 10, a film having film stress in a tension stress side is used. - 特許庁
光ファイバの残留応力及び光弾性効果を測定する装置及び方法例文帳に追加
INSTRUMENT AND METHOD FOR MEASURING RESIDUAL STRESS AND PHOTOELASTICITY EFFECT OF OPTICAL FIBER - 特許庁
光ファイバの残留応力及び光弾性効果測定のための測定装置及びその方法例文帳に追加
MEASURING APPARATUS FOR MEASURING RESIDUAL STRESS AND PHOTOELASTIC EFFECT OF OPTICAL FIBER, AND METHOD THEREFOR - 特許庁
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