拡散フリップチップ実装の英語

アンダーフィル材の先塗り工法を採用した際に、アンダーフィル材が配線基板に設けたフリップチップ実装用のパッド電極まで拡散しない手段を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a means in which an underfill material does not diffuse to the pad electrode for the flip-chip packaging provided in the wiring board when a point painting method of the underfill material is adopted. - 特許庁

半導体チップのフリップチップ実装において、実装時や実使用時の高温環境や、温度サイクル環境で拡散によって軟質の接合材料から金属間化合物層へ変化するような構造変化をなくし、かつ拡散によって生じる偏析等の欠陥による信頼性の低下を防止しする。例文帳に追加

To prevent structural changes which changes a soft jointing material to an intermetallic compound layer by diffusion, and to prevent lowering of reliability due to defects of segregation or the like for occurrence by diffusion in a high-temperature environment or a temperature cycle environment, during assembly or in practical use in a flip-chip assembly of a semiconductor chip. - 特許庁

Ａｕ−Ａｌの拡散による強度劣化がなく、Ａｕ／Ａｌ接触部の腐食がなく、コスト的に有利な信頼性の高い手法でＡｌ電極をフリップチップ接合する半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品を提供する。例文帳に追加

To provide a method of mounting components to a semiconductor device which is hardly deteriorated by the diffusion of Au-Al, and has no corrosion of an Au/Al contact part, and flip-chip bonds an Al electrode by a highly-reliable technique in terms of cost, and the mounting components of the semiconductor device. - 特許庁

金または白金または銅が拡散されたシリコン基板２１と、シリコン基板２１の第１主面上に形成された受動素子と、シリコン基板２１の第１主面上に形成され、能動素子を有する半導体チップ３２をフリップチップ実装するための電極２７ａとを形成する。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a silicon substrate 21 in which gold, platinum or copper is diffused, a passive element formed on the first main surface of the substrate 21, and electrodes 27a formed on the first main surface of the substrate 21 to flip-chip mount a semiconductor chip 32 having an active element. - 特許庁