揮発性浮遊物質の英語

メディア表面に着弾した溶剤インク滴中から蒸発する有機溶剤等の揮発性物質が、インクジェットヘッド周辺に浮遊して滞留し続けて、その揮発性物質が、インクジェットヘッド下面に結露して付着するのを防止するインク揮発性物質排除機構を提供する。例文帳に追加

To provide an ink volatile substance eliminating mechanism for preventing an organic solvent or the like volatile substance that evaporates from within solvent ink droplets hit on a medium surface from floating and continuously staying in the perimeter of an ink-jet head, and condensing to adhere to an ink-jet head lower face. - 特許庁

そして、そのインクジェットヘッド下面３４に、インクジェットヘッド３０周辺に浮遊して滞留する揮発性物質が結露して付着するのを防ぐ。例文帳に追加

The volatile substance staying while floating in the perimeter of an ink-jet head 30 is prevented from condensing and adhering to the ink-jet head lower face 34. - 特許庁

本発明は、騒音及び大気汚染の著しい道路沿道や工業地帯等の環境であって、ある程度通風量を確保できる場所で、騒音を低減すると共に、窒素酸化物、硫黄酸化物、揮発性炭化水素、浮遊粒子状物質を含む粉塵等の汚染物質を除去する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique of reducing noises and removing pollutants, such as nitrogen oxides, sulfur oxides, volatile hydrocarbons, and dust containing suspended particulate substances, in a place such as a roadside and an industrial area, situated in an environment with marked noise and air pollution and being capable of ensuring a moderate ventilation quantity. - 特許庁

本発明は、騒音及び大気汚染の著しい道路沿道や工業地帯等の環境であって、ある程度通風量を確保できる場所で、騒音を低減すると共に、窒素酸化物、硫黄酸化物、揮発性炭化水素、浮遊粒子状物質を含む粉塵等の汚染物質を除去する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique of reducing noises and removing pollutants, such as nitrogen oxides, sulfur oxides, volatile hydrocarbons, and dust including suspended particulate matter, in a place, such as a roadside and an industrial area, situated in an environment with marked noise production and air pollution and being capable of ensuring a moderate ventilation quantity. - 特許庁

そして、その微風供給手段１０２により、インクジェットヘッド３０周辺に微風を送り込んで、その微風により、インクジェットヘッド３０周辺に浮遊して滞留する揮発性物質をインクジェットヘッド３０周辺から排除する。例文帳に追加

The faint breeze is sent by the breeze supply means 102 to the perimeter of the ink-jet head 30, so that the volatile substance staying floating in the perimeter of the ink-jet head 30 is eliminated from the perimeter of the ink-jet head 30 by the faint breeze. - 特許庁

さらに，本発明の不揮発性半導体記憶装置においては，メモリセルトランジスタの電荷蓄積層には，従来のような浮遊ゲートの替わりに，酸化珪素膜，窒化珪素膜，酸化珪素膜の積層構造，又はシリコン，金属その他の導電性物質のナノ結晶を含有する絶縁層を用いている。例文帳に追加

Additionally, the nonvolatile semiconductor memory device employs, for the charge storage layer of the memory cell transistor, a silicon oxide film 17, a silicon nitride film 18, the laminate structure 19 of a silicon oxide film, or an insulating layer involving a nanocrystal of silicon, metal, and other conductive substances, instead of such a floating gate as in prior art. - 特許庁