注入プロフィルの英語

注入された追加のドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル310とは異なる第２のドーパント・プロフィル320を有する。例文帳に追加

The additional implanted dopant has a second dopant profile 320 in the silicon layer different from the first dopant profile 310. - 特許庁

注入されたドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル305を有する。例文帳に追加

The implanted dopant has a first dopant profile 305 in the silicon layer. - 特許庁

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time. - 特許庁

第１の型のドーパントでドープされた第１の材料層の上に第１の絶縁層２０５を形成し、第一の絶縁膜２０５の厚さを、目標ドーパント・プロファイルに基づいて修正し、ベース不純物を、第１の絶縁層２０５の修正された厚さ、および目標ドーパント・プロフィルに基づいて選択されるエネルギーで注入する。例文帳に追加

The method includes depositing a first insulating film 205 over a first layer of material that is doped with a dopant of a first type, modifying a thickness of the first insulating layer 205 based on a target dopant profile, and implanting a base impurity at an energy selected based on the modified thickness of the first insulating layer 205 and the target dopant profile. - 特許庁