注入ドレインの英語

半導体層のゲート電極を挟む位置にイオン注入してドレイン／ソース領域を形成する。例文帳に追加

Ions are implanted into the semiconductor layer on both sides of the gate electrode to form drain/source regions. - 特許庁

そのハードマスクは、ソースドレイン領域形成のためのイオン注入後に除去する。例文帳に追加

The hard mask is removed after ion implantation is performed for forming source and drain regions. - 特許庁

注入は電子が基板表面に到達する位置よりドレイン領域５６側でのみ可能となる。例文帳に追加

The electrons can be injected only on the drain region 56 side from a position where electrons reach the substrate surface. - 特許庁

ソース／ドレイン領域１ｄ上のゲート絶縁膜４ｂを除去後、イオン注入を行う。例文帳に追加

Ion implantation is performed after removing the gate insulating film 4b on a source/drain region 1d. - 特許庁

ｎ型不純物２０８をイオン注入し、エクステンション・ソース・ドレイン領域２０９を形成する。例文帳に追加

N-type impurities 208 are ion implanted for forming extension source-drain areas 209. - 特許庁

続いて、注入角度を変えることによりソース・ドレイン領域の形成を行う。例文帳に追加

Next, the source and drain regions are formed by changing the injection angle of the impurity. - 特許庁

次にこれら電極をマスクとしてトランジスタのソース・ドレイン注入を行う。例文帳に追加

Then, source/drain implantation for the transistors is carried out by utilizing the electrodes for the mask. - 特許庁

Ｑ７にはマイナスチャージを注入してエンハンスメント型とし、ゲートとドレインを接続する。例文帳に追加

The FET Q7 is injected with negative charges, to make it an enhancement type with the gate connected to the drain. - 特許庁