implanted drainとは 意味・読み方・使い方

Thereafter, impurity ions are implanted with this gate electrode 15 as a mask, thereby forming a source/drain diffusion layer 16.例文帳に追加

その後、このゲート電極１５をマスクに不純物イオン注入することにより、ソース／ドレイン拡散層１６を形成する。 - 特許庁

Ions are implanted into the substrate 10 through the S/D contact opening 50, and a slightly doped drain region is formed.例文帳に追加

Ｓ／Ｄ接点開口部５０を通じてイオンを基板１０内に注入し、軽くドープしたドレーン領域を形成する。 - 特許庁

Then, by covering the LDD regions with a photoresist 25, an n-type impurity is implanted into the film 13 to form drain and source regions.例文帳に追加

ＬＤＤ領域をフォトレジスト２５で被覆しソースおよびドレイン領域を形成するためｎ型不純物を注入する。 - 特許庁

In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加

しかし、ｎ−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁

The germanium is implanted before the gate, source, and drain are formed, so an inversion short channel effect which is shown with normal FETs is reduced.例文帳に追加

ゲルマニウムはゲート、ソース及びドレイン形成以前に打ち込まれ、通常ＦＥＴで見られる逆短チャネル効果を低減する。 - 特許庁

Ions are implanted from this space 18 so as to form a hole region 19 only at the flank of the source-drain-extension region 15.例文帳に追加

この隙間１８からイオン注入をし、ソース・ドレイン・エクステンション領域１５の側面にのにみハロー領域１９を形成する。 - 特許庁

Then ions are implanted obliquely into the substrate 81, to form a shallow source/drain diffusion layer 131 under the gate sidewall 101.例文帳に追加

次に基板８１に対して斜めにイオン注入し浅いソース−ドレイン拡散層１３１をゲート側壁１０１下に形成する。 - 特許庁

Then, arsenic ions are implanted with a POS side masked with a resist, while boron ions are implanted with an NMOS side masked with a resist, and thermally processed for diffusing impurities in a gate/drain region and gate electrode.例文帳に追加

そして、ＰＭＯＳ側をレジストでマスクしてヒ素イオンを注入し、ＮＭＯＳ側をレジストでマスクしてホウ素イオンを注入し、熱処理して、ゲート／ドレイン領域及びゲート電極の不純物を拡散する。 - 特許庁