implanted drainとは 意味・読み方・使い方

Ions are implanted into the semiconductor layer on both sides of the gate electrode to form drain/source regions.例文帳に追加

半導体層のゲート電極を挟む位置にイオン注入してドレイン／ソース領域を形成する。 - 特許庁

N-type impurities 208 are ion implanted for forming extension source-drain areas 209.例文帳に追加

ｎ型不純物２０８をイオン注入し、エクステンション・ソース・ドレイン領域２０９を形成する。 - 特許庁

Subsequently, ions are implanted into the region for forming the source-drain region of a PMOS transistor, thus forming the source- drain region.例文帳に追加

その後、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン形成予定領域にイオン注入を行い、ソース／ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁

A salient part is formed on a drain that maintains a high voltage, and the ion of high concentration is implanted on the salient part, forming a high-concentration drain region.例文帳に追加

高電圧を維持するドレインで、突出部を形成して、突出部上に高濃度のイオンを注入して、高濃度ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

At first, ions are implanted in the source/drain precursor 165a with low acceleration energy, and then ions are implanted in the channel precursor 161a with high acceleration energy.例文帳に追加

まず低加速エネルギーでソース・ドレイン前駆体１６５ａにイオン注入し、次に、高加速エネルギーでチャネル前駆体１６１ａにイオン注入する。 - 特許庁

Then, arsenic ions are implanted with a POS side masked with a resist, while boron ions are implanted with an NMOS side masked with a resist, and thermally processed for diffusing impurities in a gate/drain region and gate electrode.例文帳に追加

そして、ＰＭＯＳ側をレジストでマスクしてヒ素イオンを注入し、ＮＭＯＳ側をレジストでマスクしてホウ素イオンを注入し、熱処理して、ゲート／ドレイン領域及びゲート電極の不純物を拡散する。 - 特許庁

Accordingly, when ions for forming the source/drain region of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor are implanted, the ions can be implanted into the active region 7 that is further inside than the width W_U2 of the upper electrode 22.例文帳に追加

そのため、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入の際に、上部電極２２の幅Ｗ_U2よりも内側の活性領域７にも、イオンを注入可能である。 - 特許庁