implanted electrodesとは 意味・読み方・使い方

An n ion is implanted on the surface of a silicon substrate 10 in a parallel line state to provide diffusion regions 11 which serve as electrodes for the variable capacity diode.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。 - 特許庁

In the first implantation step, n-type or p-type conductivity-type ions are implanted in regions or gate electrodes 9 and 10 of a semiconductor substrate 1, wherein a gate insulating film 5 and a film 6 for the gate electrodes 9 and 10 are formed.例文帳に追加

第１注入工程ではゲート絶縁膜５と、ゲート電極９、１０となる膜６と、が形成された半導体基板１のゲート電極９、１０となる部分に、ｎ型又はｐ型の導電型のイオンを注入する。 - 特許庁

In addition, impurity ion groups 23a and 23b are implanted from gaps 19a and 19b formed between the accumulation electrodes 17a, 17b, 17c, etc. and the barrier electrodes 21a, 21b, etc., so as to form a barrier regions 23 on the surface of the n-type region 13 that correspond with the barrier electrodes 21a, 21b, etc.例文帳に追加

また、蓄積電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，〜とバリア電極２１ａ，２１ｂ，〜との間にそれぞれ設けられたギャップ１９ａ，１９ｂより不純物イオン群２３ａ，２３ｂを注入し、バリア電極２１ａ，２１ｂ，〜に対応する、ｎ型領域１３の表面部にそれぞれバリア領域２３を形成してなる構成とされている。 - 特許庁

Impurities are implanted in a semiconductor layer 2 using gate electrodes 4 and 5 of second shape formed on a gate insulating film 3 deposited on the semiconductor layer 2 as an impurity implantation mask.例文帳に追加

半導体層２の上に積層されたゲート絶縁膜３の上に形成した、第２の形状のゲート電極４，５を不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入する。 - 特許庁

At the upper portion of an electrode holder 5, a first electrode 11 arranged opposite to a center region in a nozzle hole 4a for guiding a gas flow 3, and second and third electrodes 12, 13 arranged separately mutually with the first electrode 11 as a center on a straight line passing through the first electrode 11 are implanted, and hot wires are implanted linearly at the first to third electrodes 11-13.例文帳に追加

電極ホルダ５の上部には、ガス流３を案内するノズル孔４ａの中心領域に対向して配置された第１電極１１と、この第１電極１１を通る直線上で前記第１電極１１を中心として互いに離間して配置された第２及び第３電極１２，１３とが植設されており、それら第１〜第３電極１１〜１３には熱線が直線状に張設されている。 - 特許庁

Impurity ions are then implanted in a semiconductor substrate 1 by using the photoresist film 31 and the gate electrodes 9a, 9b as a mask, thus forming p-type pocket regions 42, 52, an extension region 43 and an impurity region 53.例文帳に追加

そして、フォトレジスト膜３１及びゲート電極９ａ，９ｂをマスクとして半導体基板１に不純物をイオン注入し、ｐ型ポケット領域４２，５２、エクステンション領域４３及び不純物領域５３を形成する。 - 特許庁

The SRAM has source/drain electrodes of the transmission transistor 20 and the drive transistor 10 to which impurities are implanted in the semiconductor substrate between the gate electrodes 106; and a silicide blocking film 110 formed on a top of the structure in the transmission transistor area, and a silicide film 112 formed on a top of the gate electrode and a surface of the source/drain electrodes of the drive transistor.例文帳に追加

前記ゲート電極１０６の間の半導体基板内に、不純物が注入された前記伝送トランジスター２０と前記駆動トランジスター１０のソース／ドレーン電極を有し、前記伝送トランジスター領域の構造物の上部にシリサイドブロッキング膜１１０と、前記駆動トランジスターのゲート電極の上部及びソース／ドレーン電極の表面にシリサイド膜１１２を形成する。 - 特許庁

An electron emitting part of the surface conduction type electron emitters is formed by a dot pattern of the solution, the element electrodes are constituted by a rectangular pattern or a combination of the rectangular patterns, and a corner part of the rectangular pattern is implanted to cover it with the dot pattern.例文帳に追加

表面伝導型電子放出素子の電子放出部が溶液のドットパターンによって形成され、素子電極が矩形パターンまたは矩形パターンの組み合わせによって構成されるとともに、矩形パターンのコーナー部をドットパターンによって被覆するように打ち込む。 - 特許庁