implanted junctionとは 意味・読み方・使い方

Indium ions and arsenic ions which are implanted are activated, by which an extension high-concentration impurity diffusion layer 105 possessed of a shallow junction, a pocket impurity diffusion layer 106, and a high- concentration impurity diffusion layer 104 possessed of a deep junction are formed.例文帳に追加

注入されたインジウムイオン及びヒ素イオンを活性化することにより、浅い接合を持つエクステンション高濃度不純物拡散層１０５、ポケット不純物拡散層１０６及び深い接合を持つ高濃度不純物拡散層１０４を形成する。 - 特許庁

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction.例文帳に追加

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。 - 特許庁

The P type impurity is ion-implanted into a junction area of the PMOS and P+ pickup area exposed by contact holes.例文帳に追加

マスクパターンをイオン注入障壁として使用してコンタクトホールにより露出されたＰＭＯＳの接合領域及びＰ＋ピックアップ領域内にＰ型不純物イオン注入を遂行する。 - 特許庁

Subsequently, Be ions are implanted in an annular region along the outer circumference of a light receiving region and activated by heat treatment to form a graded junction as a p-type peripheral region 9 for preventing edge breakdown.例文帳に追加

次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。 - 特許庁

A compressive stress applied portion 20 consisting of SiGe film is formed in a source/drain region of a p-MOS region 30a, after that, an impurity is implanted into the p-MOS region 30a and an n-MOS region 30b, and shallow junction regions 22a, 22b and deep junction regions 23a, 23b are formed.例文帳に追加

ｐ−ＭＯＳ領域３０ａのソース／ドレイン領域にＳｉＧｅ膜からなる圧縮応力印加部２０を形成し、その後にｐ−ＭＯＳ領域３０ａおよびｎ−ＭＯＳ領域３０ｂに不純物注入を行い、浅い接合領域２２ａ、２２ｂおよび深い接合領域２３ａ、２３ｂを形成する。 - 特許庁

To form a lightly-doped source/drain region by self-matching and to prevent implanted ions from being passed through a channel region in the production of an MOS-type semiconductor device for forming the lightly-doped source/drain region of deep junction, in order to acquire high-withstand voltage characteristics.例文帳に追加

高耐圧特性を得るために、深ジャンクションの低不純物濃度ソース・ドレイン領域を形成するＭＯＳ型半導体装置の製造において、低不純物濃度ソース・ドレイン領域を自己整合法にて形成すると共に注入イオンがチャネル領域へ突き抜けることのないようにする。 - 特許庁

The joining member is constituted of a spacer 2a comprising a steel material, formed into a cylindrical, rod-like or plate-like form, and arranged in the central part between both the junction faces, to secure the clearance in the periphery thereof, and studs 2b implanted respectively in both sides of the spacer member and fixed respectively to both of the end part members and the body member.例文帳に追加

接合部材を、筒状または棒状もしくは板状の形態とされて双方の接合端面の間の中央位置に配置されることによってその周囲に前記間隙を確保する鋼材からなるスペーサー部材２ａと、該スペーサー部材の両側にそれぞれ植設されて前記端部部材と前記本体部材の双方に対してそれぞれ定着されるスタッド２ｂにより構成する。 - 特許庁