implanted layersとは 意味・読み方・使い方

Conductive impurity ions are implanted only at a part 25a positioned in a capacitor formation scheduled region in the second PolySi layers 25.例文帳に追加

続いて、第２のＰｏｌｙＳｉ層２５のうち、キャパシタの形成予定領域に位置する部分２５ａのみに、導電型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

This forms ion-implanted layers 13a, 13b at a position 500Å or shallower from the surface of the wafer 21 for the activated layer and the wafer for support.例文帳に追加

これにより、活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面より５００Å以下の深さ位置にイオン注入層１３ａ、１３ｂが形成される。 - 特許庁

A metal and alloy material/semiconductor material/insulating material (resin), etc. are implanted/impregnated in a honeycomb porous ceramics material, to form a ceramics composite laminated material of several layers.例文帳に追加

ハニカム状の多孔セラミックス材に金属や合金材・半導体材・絶縁材（樹脂）を注入・含浸させて、幾層ものセラミックス複合積層材とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device capable of reducing elimination of ion-implanted p^+ layers while reducing contact resistance.例文帳に追加

コンタクト抵抗を低減しつつ、イオン注入したｐ^+層の消失を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Consequently, when impurity ions are implanted to the selective epitaxial layers 2 in a post-process, the quantity of impurity ions implanted at a desired angle is increased, the profile of an impurity-ion region can be set at a desired value, and the characteristics of a transistor are improved.例文帳に追加

このため、後工程で選択エピタキシャル層２に不純物イオンを注入したときに、所望の角度で注入される不純物イオン量が多くなり、不純物イオン領域のプロファイルを所望の値に設定でき、トランジスタの特性がよくなる。 - 特許庁

Al-containing regions 8a, 8b containing ion-implanted aluminum are formed in a range facing the surfaces of the first nitride semiconductor layers 6a, 6b.例文帳に追加

第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。 - 特許庁

Ions are then implanted into the surface of the diffused layer and into the surface of the gate electrode for the formation of amorphous layers on the surface of the diffused layer and on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

その後、拡散層表面と、前記ゲート電極表面とに、イオンを注入し、拡散層表面と、ゲート電極表面とに、非晶質層を形成する。 - 特許庁

Each of covered areas of 40b1, 40b2, 42b1, and 42b of gate insulating layers 40 and 42 exposed each from both sides of gate layers 38I and 38II is ion-implanted into a mask, and the LDD area and source/drain area are formed at the same time.例文帳に追加

ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩ両側からそれぞれ露出するゲート絶縁層４０，４２の各被覆領域４０ｂ_1，４０ｂ_2，４２ｂ_1, ４２ｂをマスクにイオン注入を行い、ＬＤＤ領域とソース／ドレイン領域を同時に形成する。 - 特許庁